晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 150mA |
集射极击穿电压Vce | 500V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 500V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 90mV @ 6mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 50mA,10V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 35MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PMBTA45,215 是一款由知名半导体制造商 Nexperia(安世)生产的 NPN 型晶体管,专为广泛的电子应用而设计。凭借其强大的电气性能和高额定值,PMBTA45,215 在各种电路中都是理想的选择,包括开关电路、放大器和其他需要高效率的应用。
晶体管类型: PMBTA45,215 是 NPN 晶体管,这种结构使其能够在需要提供电流放大功能的电路中工作。
集电极电流 (Ic): 最大集电极电流可达 150mA,适合于驱动小型负载及应用场合。
集射极击穿电压 (Vce): 该晶体管的最大集射极击穿电压可达到 500V,这使得其能够在高电压环境下可靠工作,以及为电路设计提供更大的灵活性。
功率: 额定功率为 300mW,意味着其对于热管理有一定的要求,但在合理的工作条件下可以长时间稳定运行。
饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的 collector current (Ic) 条件下,PMBTA45,215 优秀的饱和压降表现为变化范围仅为 90mV @ 6mA 和 50mA,这减小了能量损失,提高了效率。
截止电流 (Ic(max)): 最大集电极截止电流为 100nA,表明在关闭状态下漏电流非常小,从而提高了整体电路的功耗效率。
直流电流增益 (hFE): 在 50mA、10V 条件下,最小的 DC 电流增益为 50,这为设计提供了充分的增益保证,满足大多数应用需求。
频率特性: PMBTA45,215 拥有 35MHz 的跃迁频率,使其能够在高频电路中稳定工作,适合用于信号放大和开关操作。
工作温度: 该器件的工作温度上限为 150°C (TJ),这个较高的温度范围使其在严酷环境下依然能保持稳定和可靠。
PMBTA45,215 采用 SOT-23-3 封装,属于表面贴装型(SMD),适合于自动化装配和高密度电路板设计。SOT-23 的小型化设计减少了电路板面积,并提高了设计的灵活性。
PMBTA45,215 可广泛应用于多种领域,包括:
开关电源: 在开关电源电路中,PMBTA45,215 可以有效地控制电流,为负载提供所需的电压和电流。
放大器: 在音频或信号处理电路中,作为放大器的输出级,提供良好的线性放大,并优化信号质量。
汽车电子: 由于其高电压耐受能力,PMBTA45,215 适合在汽车电子设备中使用,能有效应对各种工况。
消费电子产品: 包括音响设备、电视和家用电器。其高效率和小型化的特点使其成为理想选择。
工业控制: 在工业自动化和控制系统中,作为开关元件,调节设备的运行状态。
PMBTA45,215 是一款性能优越的 NPN 晶体管,具备高集电极电流能力、高耐压、低饱和压降及宽广的工作温度范围,适合在多种严苛环境下工作。其表面贴装型的封装形式为现代电子设计提供了便利,使其能广泛应用于汽车、工业、消费电子等多个领域。选择 PMBTA45,215,您将为产品的性能、可靠性和效率提供有力支持。