极性 | Bidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 3A (8/20us) |
箝位电压 | 70V | 击穿电压(最小值) | 25.4V |
反向关断电压(典型值) | 24V (Max) | 类型 | 齐纳 |
双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态(典型值) | 24V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 25.4V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 70V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 200W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 11pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
PESD24VL1BA,115 产品概述
PESD24VL1BA,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)出品的高性能瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),专为电路保护应用设计。该器件采用表面贴装型封装,符合现代电子设备对尺寸、小型化和高效能的需求,封装类型为 SOD-323。
电气特性:
构造与封装:
电特性与温度范围:
PESD24VL1BA,115 广泛应用于多种电子产品和系统中,包括但不限于:
PESD24VL1BA,115 作为一款高效的瞬态电压抑制二极管,凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,为现代电子设备提供了可靠的过压保护。Nexperia(安世)的技术积累和精湛的制造工艺,使得这一产品在电气过载突发情况下表现出色,有效维护设备性能和安全性。作为一种通用型保护解决方案,PESD24VL1BA,115 是电子工程师在设计和制造高可靠性电子产品时的重要选择。