PESD12VS2UT,215 产品实物图片
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PESD12VS2UT,215

商品编码: BM0000287154
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
35V-夹子-5A(8-20µs)-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-TO-236AB
库存 :
1500(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.455
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.455
--
200+
¥0.294
--
1500+
¥0.255
--
3000+
¥0.226
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PESD12VS2UT,215参数

极性Unidirectional峰值脉冲电流(10/1000us)5A (8/20us)
箝位电压35V击穿电压(最小值)14.7V
反向关断电压(典型值)12V (Max)类型齐纳
单向通道2电压 - 反向断态(典型值)12V(最大)
电压 - 击穿(最小值)14.7V不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)35V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)5A(8/20µs)功率 - 峰值脉冲180W
电源线路保护应用通用
不同频率时电容38pF @ 1MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TA)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

PESD12VS2UT,215手册

PESD12VS2UT,215概述

PESD12VS2UT,215 产品概述

概览

PESD12VS2UT,215 是由安世半导体公司(Nexperia)生产的一款高性能表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),旨在为电子设备提供可靠的过电压保护。该器件具有高击穿电压(14.7V)和较强的瞬态抑制能力,特别适合在高电流峰值脉冲条件下使用,如5A(8/20µs)脉冲条件。其峰值脉冲功率高达180W,能够有效抑制由电气过载或电磁干扰引起的瞬态电压。

关键参数

  • 极性: 本器件为单向二极管,适用于单向过压保护。
  • 峰值脉冲电流(Ipp): 在10/1000μs的测试条件下可承载高达5A的电流,显示出其强大的过电压承受能力。
  • 箝位电压: 最大箝位电压为35V,确保在瞬态事件发生时,设备受到的电压限制在安全范围内。
  • 击穿电压: 器件的最小击穿电压为14.7V,意味着在此电压下,二极管将开始导通,以保护后级电路。
  • 反向关断电压(Vrwm): 典型值为12V(最大),确保其能在常用工作电压下有效保持关闭状态。
  • 工作温度范围: 它的工作温度范围为-65°C至150°C,适应广泛的环境条件。

应用场景

PESD12VS2UT,215 广泛应用于各种电子设备和电路中的过压保护,如:

  • 通信设备: 保护基站和网络设备免受瞬态电压冲击。
  • 消费电子: 在智能手机、平板电脑及其他便携式设备中提供过电压保护。
  • 工业控制: 保护传感器和执行器等关键组件。
  • 汽车电子: 用于车载电子设备的电压保护,确保其在波动的电压环境下稳定工作。

电气特性

该 TVS 二极管在高频应用中也表现出良好的性能,其典型电容为38pF(在1MHz下测得),表现出优良的带宽特性。此外,其卓越的瞬态响应特性可以有效保护下游组件,减少电气噪声带来的干扰。

安装和封装

PESD12VS2UT,215 采用TO-236AB封装,属于表面贴装型(SMD),这使其在PCB布局中更加灵活,适合用于高密度的电路设计。其小巧的尺寸适合各种空间受限的应用,有助于提升设计的整体紧凑性和性能。

品牌及可靠性

作为安世半导体的一部分,PESD12VS2UT,215 在质量和可靠性上经过严格测试,符合国际标准。安世半导体在全球电子元器件市场上享有良好的声誉,其产品被广泛应用于多个行业,为客户提供高效、安全的解决方案。

结论

总之,PESD12VS2UT,215 是一款性能优异、适用范围广泛的瞬态电压抑制二极管,其卓越的电压保护能力和工作稳定性使其成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。无论是用于日常消费产品,还是用于专业的工业控制系统,该器件都展现出了优良的性价比和适用性,是过电压保护设计的理想选择。