极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 5A (8/20us) |
箝位电压 | 35V | 击穿电压(最小值) | 14.7V |
反向关断电压(典型值) | 12V (Max) | 类型 | 齐纳 |
单向通道 | 2 | 电压 - 反向断态(典型值) | 12V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 14.7V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 35V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 180W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 38pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PESD12VS2UT,215 是由安世半导体公司(Nexperia)生产的一款高性能表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),旨在为电子设备提供可靠的过电压保护。该器件具有高击穿电压(14.7V)和较强的瞬态抑制能力,特别适合在高电流峰值脉冲条件下使用,如5A(8/20µs)脉冲条件。其峰值脉冲功率高达180W,能够有效抑制由电气过载或电磁干扰引起的瞬态电压。
PESD12VS2UT,215 广泛应用于各种电子设备和电路中的过压保护,如:
该 TVS 二极管在高频应用中也表现出良好的性能,其典型电容为38pF(在1MHz下测得),表现出优良的带宽特性。此外,其卓越的瞬态响应特性可以有效保护下游组件,减少电气噪声带来的干扰。
PESD12VS2UT,215 采用TO-236AB封装,属于表面贴装型(SMD),这使其在PCB布局中更加灵活,适合用于高密度的电路设计。其小巧的尺寸适合各种空间受限的应用,有助于提升设计的整体紧凑性和性能。
作为安世半导体的一部分,PESD12VS2UT,215 在质量和可靠性上经过严格测试,符合国际标准。安世半导体在全球电子元器件市场上享有良好的声誉,其产品被广泛应用于多个行业,为客户提供高效、安全的解决方案。
总之,PESD12VS2UT,215 是一款性能优异、适用范围广泛的瞬态电压抑制二极管,其卓越的电压保护能力和工作稳定性使其成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。无论是用于日常消费产品,还是用于专业的工业控制系统,该器件都展现出了优良的性价比和适用性,是过电压保护设计的理想选择。