额定功率 | 480mW | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 320mV @ 100mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 500mA,5V | 功率 - 最大值 | 480mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PBSS9110T,215是一款高性能的PNP型双极型晶体管(BJT),由知名半导体制造商Nexperia(安世)推出。作为一种广泛应用于各种电子电路中的重要器件,PBSS9110T,215具有优异的电气性能与可靠性,适用于要求较高的电子应用场合。
高集电极电流能力:PBSS9110T,215能够承载高达1A的集电极电流,使其在电源开关、信号放大等应用中表现出色。
较低的Vce饱和压降:该晶体管在工作时具有320mV的饱和压降(在100mA和1A的条件下),这意味着在开关操作时能够有效降低功耗,提升电路的整体效率。
高电流增益:PBSS9110T,215在运行条件下提供最小150的直流电流增益(hFE),在500mA和5V的条件下进行测试。这一特性使得它在高增益应用场合中具有极大的优势。
极低的截止电流:在无信号输入的情况下,截止电流(Ic)最大值仅为100nA,这表明该器件的漏电流非常小,有助于提高电路的稳定性和可靠性。
适应广泛的工作温度:其工作结温高达150°C,使得PBSS9110T,215可以在各种苛刻环境条件下工作,十分适合于工业和汽车应用。
高频性能:能够在高达100MHz的频率下工作,PBSS9110T,215适用于高频信号处理与高要求的射频应用。
PBSS9110T,215由于其卓越的性能,广泛应用于各种电子设备和系统中。以下是其一些典型的应用场合:
PBSS9110T,215采用了TO-236AB(SOT-23)表面贴装型封装,这种封装不仅占用空间小,而且极大方便了自动化生产和焊接,也提高了电路板的布线灵活性。TO-236封装使其可以在紧凑的电路设计中应用,尤其是在现代电子产品的小型化趋势下,它的价值更加凸显。
综合来看,PBSS9110T,215是一款性能优异、应用广泛的PNP型三极管,适合各类电源控制与信号放大设计。其高电流承载能力、较低的工作电压损耗以及高工作温度范围使其成为在电子产品开发中不可或缺的元件。无论是在消费电子、汽车电子还是工业设备中,PBSS9110T,215都彰显了其优秀的电子特性和可靠性,能够满足不同设计需求的挑战。