晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 1W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 320mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89 |
PBSS4250X,115 是由 Nexperia(安世)生产的一款高性能 NPN 晶体管,具有卓越的电气特性和广泛的应用场景。该器件采用 SOT-89 封装,提供了出色的电流和电压承受能力,适用于多种电子电路设计。
PBSS4250X,115 晶体管广泛应用于开关电源、放大器、信号调理电路以及其他需要高开关频率的应用。凭借其高电流增益和较小的饱和压降,适合用于各种功率管理和传感器接口解决方案。此外,由于其较高的工作温度上限,PBSS4250X,115 可以在严酷的环境条件下运行,确保系统的可靠性。
PBSS4250X,115 使用 SOT-89 表面贴装封装,具有良好的焊接特性和小型化设计,适合于现代电子设备的小型化需求。这种封装形式能够有效降低电感,提高电路的稳定性和可靠性,非常适合自动化贴片技术。
PBSS4250X,115 是一款高性能 NPN 晶体管,搭载了 Nexperia 的先进技术。凭借其卓越的电流和电压特性、低功耗、高增益以及宽温度范围,该器件为设计工程师提供了出色的灵活性,能够应对多种不同的应用需求。在当今快速发展的电子技术环境中,PBSS4250X,115 将是实现高效、稳定电路设计的理想选择。