安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 工作温度 | 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 30MHz | 功率 - 最大值 | 1.4W |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 350mV @ 200mA,1A | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 500mA,10V |
PBHV8115Z,115 是一款高性能的三极管,采用 NPN 类型设计,专为各种电子设备的开关和放大应用而优化,特别是在表面贴装技术(SMT)环境中,符合现代电子产品对于小型化和高效率的需求。该产品由知名品牌 Nexperia(安世)制造,保障了其卓越的质量和性能。
电流和功率参数: PBHV8115Z,115 具有 1A 的额定集电极电流 (Ic),能在多种应用场景中提供稳定的电流输出。同时,其最大功耗为 1.4W,使其能够承受较高的功率负载,并适合用于需要高开关频率和高电流处理的电路设计。
电压参数: 本三极管的集射极击穿电压(Uce)可达 150V,这使其在高压应用中非常可靠,确保在极限电压条件下的稳定运行。这一特性使其十分适合用于电源输出、继电器驱动和高压开关电路。
热性能: PBHV8115Z,115 的工作温度范围高达 150°C(TJ),这种高温能力使其在高温环境下的应用表现尤为出色,能够有效应对温度波动对电子元件的影响,适应工业、汽车及消费电子等多种领域。
频率和增益: 该组件的频率跃迁可以达到 30MHz,使其适用于高速开关和高频放大应用。同时,产品具备良好的直流电流增益 (hFE),最低可达 50 @ 500mA 和 10V,这一特性有助于提升信号放大效率,确保信号传输的完整性。
饱和压降性能: 在 200mA 及 1A 的工作条件下,PBHV8115Z,115 的不同 Ib、Ic 条件下,饱和压降 (Vce) 最大值为 350mV。这一参数对于提高功率转换效率至关重要,能够降低功耗及热量产生,提升整体电路的效率。
封装设计: 该三极管采用 SOT-223 封装,这是一种广泛应用的紧凑型表面贴装封装,展现出优良的散热性能及小型化优势,便于集成到紧凑的电路板设计中,降低了设计复杂度和成本。
PBHV8115Z,115 的设计使其适用于多种应用,例如:
综上所述,PBHV8115Z,115 是一款性能卓越、应用广泛的 NPN 三极管,具备高电流、高电压和优越的热稳定性等特性,非常适合现代电子设备中的多种应用。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,都能发挥出其优良的性能,满足客户对高效和高可靠性的需求。选择 PBHV8115Z,115,您将获得值得信赖的设计解决方案。