MURS120-13-F 产品实物图片
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MURS120-13-F

商品编码: BM0000287095
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SMB
包装 : 
编带
重量 : 
0.207g
描述 : 
快恢复/高效率二极管 875mV@1A 200V 2uA@200V 1A SMB
库存 :
15911(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.666
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.666
--
200+
¥0.459
--
1500+
¥0.417
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MURS120-13-F参数

反向恢复时间(trr)25ns直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)1A正向压降(Vf)875mV @ 1A
二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)875mV @ 1A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)25ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2µA @ 200V不同 Vr、F 时电容27pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳DO-214AA,SMB
供应商器件封装SMB工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

MURS120-13-F手册

MURS120-13-F概述

产品概述:MURS120-13-F

MURS120-13-F 是一款由 DIODES(美台)公司出品的高效能快恢复二极管,采用SMB封装,旨在满足各种电力电子应用的需要。该二极管具有优越的电气性能和可靠性,特别适用于逆变器、开关电源、整流电路和其他相关应用场合。

1. 基本参数

  • 反向耐压 (Vr): MURS120-13-F 的直流反向耐压达到200V,这使得它能够在高压环境下稳定工作,防止击穿,提高了设备在极端条件下的性能。
  • 平均整流电流 (Io): 该器件能够承受1A的平均整流电流,在多种电流应用中表现出色,尤其是在快速切换的电源系统中。
  • 正向压降 (Vf): 在1A工作条件下,二极管的正向压降仅为875mV,这意味着其在导通状态下能量损耗小,有助于提高整体系统的效率。
  • 反向恢复时间 (trr): MURS120-13-F 的反向恢复时间为25ns,属于快速恢复型二极管,适合高频开关应用,能够有效降低开关损耗,提高开关频率的稳定性。

2. 性能特点

  • 低反向泄漏电流: 在额定200V的反向电压下,二极管的反向泄漏电流仅为2µA,表明该器件在关闭状态下的能量损失极小,有助于提升整体系统的能效。
  • 动态特性: 在不同电压下,该器件表现出27pF的电容特性(在4V,1MHz条件下测试),进一步增强了其在高频应用方面的匹配能力。

3. 封装与安装

MURS120-13-F 采用DO-214AA (SMB) 的表面贴装封装设计,适用于现代电子设备的紧凑布局需求。表面贴装(SMD)技术使得二极管可以方便地安装在印刷电路板上,同时也便于自动化生产。

4. 工作温度范围

该二极管的结温范围为-55°C至175°C,确保在各种温度环境下均能正常工作。这一广泛的工作温度范围使得MURS120-13-F 在高温或低温条件下都能维持稳定性能,适合汽车、工业和军事等苛刻应用。

5. 应用场景

MURS120-13-F 的多种特性使其广泛应用于:

  • 开关电源
  • 整流电路
  • 逆变器
  • 高频变换器
  • 电机驱动
  • 电子点火设备

6. 结论

总的来说,MURS120-13-F不仅在电气性能上表现优异,且在封装、安装及工作环境的适应性上也展现出强大的优势。凭借其出色的快恢复特性、低正向压降和低反向泄漏电流,MURS120-13-F 是追求高效率和高可靠性的电子设计工程师的理想选择。无论是用于消费电子产品还是工业应用,其卓越的特性均能充分满足现代电子电路对半导体元器件的高标准要求。