MMBT3906FA-7B
MMBT3906FA-7B参数
| 额定功率 | 435mW | 集电极电流Ic | 200mA |
| 集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V | 功率 - 最大值 | 435mW |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 供应商器件封装 | X2-DFN0806-3 |
MMBT3906FA-7B手册
MMBT3906FA-7B概述
产品概述：MMBT3906FA-7B PNP 硅三极管
一、引言
在现代电子器件中，三极管作为基础的放大和开关元件，广泛应用于各种电路中。MMBT3906FA-7B是一款高性能的PNP型硅三极管，凭借其优秀的电性能和可靠的工作环境，广泛用于低功率放大和开关应用。该产品由知名品牌DIODES（美台）制造，具有诸多优越的技术参数，适用于多种电子设备。
二、基本参数
MMBT3906FA-7B三极管具备以下核心参数：
- 额定功率: 435mW
- 集电极电流 (Ic): 最大值 200mA
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大值 40V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最大值 400mV @ 5mA、50mA
- 集电极截止电流 (ICBO): 最大值 50nA
- 直流电流增益 (hFE): 最小值 100 @ 10mA，1V
- 频率 - 跃迁: 高达 300MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: X2-DFN0806-3
三、特性分析
功率与电流承受能力: MMBT3906FA-7B的额定功率为435mW，使其能够在多种低功率应用中发挥作用。其集电极电流Ic最大可达200mA，适用于需要较大电流的线路控制和放大应用。
电压承受能力: 本器件的集射极击穿电压为40V，适合用于中等电压的电路设计。这个特性使三极管在多个应用场景下都能保持稳定性能。
饱和特性: MMBT3906FA-7B在较小的集电极电流下（如5mA和50mA）表现出较低的饱和压降（最大为400mV），这使得在开关应用中更为高效，能够提供更小的功耗和更高的信号衰减。
高频特性: 跃迁频率高达300MHz，表明该三极管能够在高频信号环境下保持良好的性能，适用于射频放大和高速开关电路。
使用温度范围广: 工作温度范围是-55°C到150°C，适合不同环境条件下的应用，包括汽车电子、工业控制等对温度有严格要求的场合。
四、应用领域
MMBT3906FA-7B三极管因其优良的性能和广泛的适用性，常见于以下应用领域：
- 音频放大器: 由于其出色的增益特性和频率响应，该器件常被用于音频信号的放大。
- 开关电路: 在低侧开关或控制电路中，MMBT3906FA-7B可以有效地控制负载的通断。
- 射频应用: 由于其高频特性，该三极管可用于射频信号的处理与放大。
- 传感器接口: 在传感器信号的调理和放大中，能够提供准确的信号恢复。
五、封装与安装
MMBT3906FA-7B采用3-XFDFN封装，具体为X2-DFN0806-3型，其小巧的尺寸及表面贴装设计适合现代电子设备的高度集成化需求。这种设计不仅可以提高电路板的空间利用率，还便于自动化生产。
六、结论
总体而言，MMBT3906FA-7B是一款性能优越、适应性广泛的PNP型硅三极管，适合应用于多种低功耗和中等电压的电路。其稳健的电流增益、低饱和压降和高频特性，使得它在现代电子设计中具有很高的实用价值。选择MMBT3906FA-7B，无疑是确保电路性能与稳定性的明智之选。