额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 600mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
产品简介
MMBT2222AT-7-F是一款高性能NPN型三极管,广泛应用于开关和放大电路。其设计符合针对电气性能、功率处理和工作环境的严苛要求。该器件适用于各种电子产品中,包括消费类电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,因其具有高增益、良好的频率响应和极低的截止电流,能够满足现代电路的多样化需求。
电气特性
该产品的额定功率为150mW,能够提供可靠的性能,同时有效管理功耗。集电极电流(Ic)的最大值为600mA,适合中等负载的应用场合。但在选择合适的工作电流时,也需要注意饱和压降的限制。对于50mA和500mA的集电极电流,Vce 饱和压降最大值为1V,确保能够在一定范围内维持良好的开关特性。
电压和电流特性
MMBT2222AT-7-F的集射极击穿电压(Vce)为40V,允许器件在较高电压环境中稳定工作,使其能够应用于高电压的开关和放大场景。截止电流(ICBO)保持在最低10nA,确保设备在关断状态下的低漏电流,反映出该器件在高效能和低功耗方面的优越性。
增益与频率响应
该三极管的DC电流增益(hFE)在150mA,10V条件下的最小值为100,显示出其在放大电路中所需的增益特性,为音频放大、信号处理等领域提供了可靠的支持。此外,器件的频率跃迁特性可达300MHz,使其适合在高频应用场合中使用,如RF放大器和信号调制电路。
环境与封装
MMBT2222AT-7-F的工作温度范围为-55°C到150°C(TJ),满足高温环境下的使用需求,广泛适用于工业和汽车等领域。其采用SOT-523封装,表面贴装型的设计使得其在空间受限的电路板中易于安装,兼顾了密度和性能的平衡。
品牌与质量保证
该型号来自于全球知名电子元器件制造商DIODES(美台),凭借其卓越的产品质量和创新的设计,MMBT2222AT-7-F在市场上得到了广泛认可。DIODES致力于提供高可靠性、高性能的产品,满足客户在各类应用中日益增长的需求。
应用领域
凭借其出色的性能规格,MMBT2222AT-7-F适用于多种应用场景,包括但不限于:
总结
综上所述,MMBT2222AT-7-F是一款具备优异性能的NPN三极管,兼顾了功耗、增益和频率特性,适合多种电子应用。其优越的工作环境适应性和来自DIODES的品牌保障,使其成为设计师和工程师在电路设计中值得信赖的选择。无论是在消费电子还是工业控制中,该三极管均表现出色,确保了方案的成功实施。