晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 50mA,10V | 功率 - 最大值 | 15W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | DPAK |
MJD350T4 是由意法半导体(STMicroelectronics)出品的一款高性能PMOS三极管(BJT),特别适合用于高电压和中等功率的应用场景。其设计和制造符合业界严格的标准,确保其在电力电子和信号处理中的高可靠性和稳定性。MJD350T4 提供了优秀的性能,适合需要较高电流和电压的电子设备,为工程师和设计人员提供了一个理想的选择。
MJD350T4 的高集电极击穿电压(300V)使其在各种应用中具备了良好的适应性,特别是在高压电路中。此外,500mA 的最大集电极电流也意味着它可以处理中等功率负载,这使得它在音频放大器、开关电源和电机驱动等应用中均表现出色。
其 DC 电流增益(hFE)在 50mA、10V 的条件下达到最小值 30,显示出它在开关和放大应用中的良好增益特性。此外,具有较低的集电极截止电流(ICBO)值,有效减少了静态功耗,提高了整体能效,适合用于便携式设备和电池驱动的应用。
MJD350T4 广泛应用于多个领域。其主要应用包括但不限于:
MJD350T4 的 DPAK 封装设计确保其表面安装方便,同时有效散热,适合现代电子设备的小型化需求。TO-252-3 封装也使其在安装过程中具有较好的机械强度和热管理性能。
在设计集成方面,MJD350T4 的高功率和高电压特性使其能够与许多其他电子元件共同工作,形成稳定的电路设计。这为工程师提供了极大的灵活性,可以在多种应用中优化设计。
MJD350T4 是一款性能优越的PNP型三极管,由意法半导体制造,具有广泛的应用前景。其高集电极电流和电压能力、优秀的增益特性、适应于多种环境的稳定性,使其非常适合现代电子设备的需求。无论是在高效电源、音频设备还是工业控制系统中,MJD350T4 都是一个值得信赖的选择,为电子设计人员提供了强大的支持。通过合理的设计和应用,MJD350T4 有潜力为各个领域的电子产品带来更高的性能和效率。