IRLZ34NPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 68W 55V 30A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
37(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.12按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.12
--
100+
￥2.5
--
1000+
￥2.31
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLZ34NPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 16A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 68W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 880pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRLZ34NPBF手册
IRLZ34NPBF概述
IRLZ34NPBF 产品概述
产品简介
IRLZ34NPBF 是由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。其主要应用范围涵盖了开关电源、电机驱动、以及负载开关等领域，能够满足大多数中等功率电子设备对开关元件的需求。该器件具有优异的导通性能和较低的导通电阻，能够在高负载条件下稳定工作。
基础参数
IRLZ34NPBF 的主要规格如下：
- 漏源电压（Vdss）: 55V，适用于需要中等电压控制的电路。
- 连续漏极电流（Id@25°C）: 30A，提供充足的电流能力以支持各类功率应用。
- 导通电阻（Rds On）: 35mΩ @ 16A, 10V，这一低导通电阻能够有效减少功耗和发热，提升系统整体的效率。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2V @ 250µA，确保在较低的栅极驱动电压下也能迅速开启，提高驱动的灵活性。
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 68W，产品设计中考虑到散热因素，确保在一定条件下可承受较高的功率。
工作特性
- 最大 Vgs: ±16V，确保栅极驱动系统具有足够的抗干扰能力。
- 导通电阻随 Id、Vgs 的变化特性: 可按照不同的电流及电压环境进行优化，满足多种应用需求。
- 输入电容 (Ciss): 880pF @ 25V，确保了较快的开关速度，适用于高频操作。
工作环境
IRLZ34NPBF 的工作温度范围广泛，涵盖从 -55°C 到 175°C。这样的高温性能使得该器件能够在恶劣环境中持久稳定地运行，非常适合于汽车、工业及军工应用等高要求领域。
封装信息
该器件采用 TO-220AB 封装，适合通孔安装，方便于散热设计及 PCB 板上的布局。TO-220 封装的设计也提供了良好的机械强度和电气性能，使得插拔稳定性增强。
应用领域
IRLZ34NPBF 广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在开关电源中作为开关元件，提升电源转换效率。
- 电机驱动: 用于直流电机和步进电机控制，提高控制精度。
- 负载开关: 在各种电子设备的电源开关中，确保安全稳定的电力供应。
- 汽车应用: 在汽车电子中，支持电源的切换与管理，满足汽车严苛的工作环境。
总结
作为一款高性能 N 沟道 MOSFET，IRLZ34NPBF 通过其优越的电气特性与散热能力，能够满足现代电子设备对高效、可控电源的迫切需求。其广泛的应用场景和可靠的性能使其成为设计工程师和产品开发者在选择电子开关组件时的热门选择。无论是在高频开关电源、工业设备，还是在汽车电子领域，IRLZ34NPBF 都能提供出色的性能表现，是优化电力控制与管理的理想解决方案。