IRLML2502TRPBF
IRLML2502TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.2A |
| 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 4.2A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.25W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4.2A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML2502TRPBF手册
IRLML2502TRPBF概述
产品概述：IRLML2502TRPBF N沟道MOSFET
基本信息
IRLML2502TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为低电压、高效率的电源管理应用而设计。其关键性能指标包括最高漏源电压（Vdss）为20V、连续漏极电流（Id）为4.2A，非常适合用于多种电子电路中，包括开关电源、低压电机驱动、电池管理系统及负载开关等应用。
电气性能
漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为20V，适用于较低电压的应用场景，为工程师在设计电路时提供了灵活性。
连续漏极电流（Id）：IRLML2502TRPBF在25°C时支持的连续漏极电流为4.2A，使其能够处理较高负载的场合，同时也能满足对电流稳定性的要求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的阈值电压为1.2V@250µA，意味着在低电压条件下也能可靠地开启，对于低功耗应用颇为关键。
导通电阻（Rds(on)）：在4.2A, 4.5V条件下，IRLML2502TRPBF的最大导通电阻为45毫欧，这一特性确保了在工作过程中产生的热量非常小，提高了效率并降低了散热要求。
最大功率耗散：该MOSFET的功率耗散上限为1.25W（Ta=25°C），使其具备在不同负载条件下长时间稳定工作能力。
电气特性变化
IRLML2502TRPBF的导通电阻与栅源电压（Vgs）和漏极电流（Id）相关，设计时可以根据需求选择合适的工作条件。例如，在2.5V和4.5V下的导通电阻值表现出色，同时在Qgs和Qg等参数方面，保证了快速开关和快速响应的能力，这对于高频开启和关闭场合尤其重要。
温度及环境适应性
IRLML2502TRPBF具有广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，确保设备在极端条件下依然能够长期工作而不失效。这一特性特别适合各种苛刻的工业和汽车应用。
封装及安装类型
本型号采用SOT-23（Micro3TM）封装，体积小巧，适合于空间受限的电子设计。表面贴装型设计使得IRLML2502TRPBF易于与现代自动化贴片设备兼容，有助于提高生产效率，并降低生产成本。
应用领域
IRLML2502TRPBF广泛应用于：
- 便携式设备的功率管理
- LED驱动电路
- 电机控制
- 公共电源布线和开关
- 电池充电和管理系统
- 过流保护电路
总结
总的来说，IRLML2502TRPBF是一款高效、结构紧凑且性能优越的N沟道MOSFET，适用于大多数低电压电子设备及其配套的电源管理需求。凭借其优异的电气特性、温度适应性以及适合现代制造的封装设计，IRLML2502TRPBF无疑是当前市场上技术领先和性价比高的产品之一。无论是在设计新产品或是在升级现有设备时，工程师都可以信赖这一优质元件，为他们的产品实现更高的效率和性能标准。