IRLML2402TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23(Micro3)
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 540mW 20V 1.2A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
3043(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.605按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.605
--
200+
￥0.39
--
1500+
￥0.339
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLML2402TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.2A |
| 栅源极阈值电压 | 700mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 930mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 540mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 930mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.9nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML2402TRPBF手册
IRLML2402TRPBF概述
IRLML2402TRPBF 产品概述
IRLML2402TRPBF 是由英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），该器件在业界被广泛应用于低电压和中等电流电路中。其在小型化和高效率解决方案方面的优势，使其成为便携式电子产品、LED驱动器、开关电源及其他低功耗应用的理想选择。
主要特性
- 漏源电压（Vdss）: 最大可承受20V的漏源电压，使其适合用于多种低压应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境条件下，该器件的连续漏极电流可达1.2A，这为设计提供了灵活性与稳定性，能高效驱动负载。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 700mV@250µA，确保该MOSFET能够在较低的控制电压下可靠地启动，适合电池供电的应用。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V的栅-source电压下，最大导通电阻为250mΩ@930mA，这意味着在操作时可以有效地降低功耗和热量产生，提高整体效率。
- 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为540mW（在25°C环境下），使其适合在发热量较小的应用中使用。
- 工作温度范围: 支持广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，适应各种环境条件，尤其在恶劣工作环境中的可靠性。
- 封装类型: 采用SOT-23封装，这种小型表面贴装型设计有利于提高电路板密度并减少占用空间。
应用场景
IRLML2402TRPBF 具备众多应用优势，特别适用于以下场景：
便携式充电器：由于其高效的电流控制能力和低功耗特性，该MOSFET被广泛应用于便携式充电器中，能够有效地转换和控制电源。
LED驱动器：在LED照明应用中，其快速开关响应和高效率使其成为理想选择，能够有效驱动LED以实现精准的亮度控制。
开关电源: 在DC-DC转换器中，IRLML2402TRPBF可用作高效开关，帮助电路实现稳定的电压转换。
自动控制系统: 由于其优异的低功耗特性和较高的热稳定性，该MOSFET适合用于各种自动化控制应用，如电机驱动和传感器控制等。
结论
总的来说，IRLML2402TRPBF 是一款强大、可靠的N沟道MOSFET，具备出色的电气性能和广泛的应用潜力。凭借其高效能、低导通电阻、紧凑尺寸及广泛的工作温度范围，成为现代电子设计中不可或缺的重要组件之一。无论是用作开关还是放大器，该器件都能为各类创新电子设备提供优异的性能支持，是追求高效节能设计工程师们的理想选择。