IRL540NPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRL540NPBF

商品编码: BM0000286933
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.64g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 100V 36A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
11811(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
4.05
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.05
--
100+
¥3.24
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRL540NPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)44 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)74nC @ 5V
Vgs(最大值)±16V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1800pF @ 25V
功率耗散(最大值)140W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRL540NPBF手册

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IRL540NPBF概述

产品概述:IRL540NPBF N通道MOSFET

一、基本信息

IRL540NPBF是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),提供了出色的电气特性和热管理能力,广泛应用于电源管理、马达驱动、开关电源和电动机控制等领域。其工作电压可达100V,连续漏极电流为36A,能够满足大多数高功率应用的需求。IRL540NPBF通常以TO-220AB封装形式提供,使得其易于安装和散热。

二、技术参数

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 36A(在规定的工作温度下)
    • 导通电阻(Rds(on)): 在Vgs为10V时,最大导通电阻为44毫欧,特别适合高效率的开关电源和电动机驱动。
    • 门源电压(Vgs): 最大值为±16V,支持多种驱动电压选择,提高了设计的灵活性。
  2. 工作温度范围: IRL540NPBF可在-55°C至175°C的环境中可靠工作,这使得其适用于严苛的工业和汽车应用。

  3. 栅极特性

    • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大2V @ 250µA,这意味着该MOSFET可以在较低的栅极驱动电压下开始导通,进一步提高了其在低功耗应用中的性能。
    • 栅极电荷(Qg): 74nC @ 5V,较低的栅极电荷使得驱动电路设计更为简单,有助于提高开关频率。
  4. 电容特性

    • 输入电容(Ciss): 在25V下最大为1800pF,低的输入电容能够降低驱动功耗,并提升开关效率。
  5. 功率耗散(Pd): 最大可达140W(在额定条件下),支持高功率应用,同时确保器件的热稳定性。

三、封装特性

IRL540NPBF采用TO-220AB封装,具有良好的散热性能和安装便利性。该封装适用于PCB的通孔安装,确保电路板的任务稳定性与可靠性。其结构设计使得热耗散效果更佳,适合在高功率场合下工作。

四、应用领域

IRL540NPBF广泛应用于如下领域:

  • 电源管理: 可用于各种DC-DC转换器和开关电源设计,因其卓越的导通电阻和功耗特性,帮助提升整个电源的效率。
  • 马达驱动: 在电动机控制和驱动电路中,能够实现快速开关,提升马达的工作效率。
  • 高功率开关: 适合用于高功率负载的开关,如继电器驱动等场景。

五、总结

IRL540NPBF N通道MOSFET凭借其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围和良好的散热性,已成为众多电子工程师和设计师在高功率应用中的首选元件。其灵活的驱动电压及高效能特性,使其在各种电气控制和驱动系统中表现出色,为提升产品的整体性能和可靠性提供了坚实的基础。选择IRL540NPBF,将为您的电气设计带来更高的效率和性能。