IRFU120NPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-251AA(IPAK)
包装 :
管装
重量 :
1.057g
描述 :
场效应管(MOSFET) 48W 100V 9.4A 1个N沟道 TO-251(IPAK)
库存 :
2102(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
1.94按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.94
--
100+
￥1.56
--
750+
￥1.39
--
1500+
￥1.31
--
3000+
￥1.25
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFU120NPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9.4A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 210mΩ @ 5.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 48W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 210 毫欧 @ 5.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | IPAK（TO-251） | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
IRFU120NPBF手册
IRFU120NPBF概述
IRFU120NPBF 产品概述
产品基本信息
IRFU120NPBF 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要特点包括高漏源电压（Vdss）可达100V、连续漏极电流（Id）为9.4A，以及低导通电阻（Rds On）和高功率耗散能力，适合多种工业和消费电子应用。
主要规格和参数
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 9.4A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最小4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 最大210mΩ @ 5.6A, 10V
- 最大功率耗散: 48W（在25°C时）
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C
- 驱动电压: 最大10V
- 栅极电荷（Qg）: 最大25nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 最大330pF @ 25V
- Vgs最大值: ±20V
- 封装类型: TO-251（IPAK）
性能特点
IRFU120NPBF 具备出色的耐压和电流能力，适合高温高压的环境下工作。它的漏源导通电阻低至210毫欧，意味着在导通状态下发热量较低，有助于提高系统的能效和可靠性。最大功率耗散能力为48W，使其能够处理较大的功率负载，满足各种电源转换和开关应用的需求。
该MOSFET在栅极驱动期间能够以低能耗实现快速的开关性能，栅极电荷为25nC，可在较低驱动电压（10V）情况下保持良好的开关特性。同时，其栅源极阈值电压为4V，确保在实际应用中能被有效驱动。
应用场景
IRFU120NPBF 广泛应用于各类电源管理系统，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 馈线整流器
- 电机驱动器
- 开关电源
- 逆变器
凭借其高效的电流处理能力和出色的热管理性能，IRFU120NPBF 也非常适用于汽车电子、工业控制和消费电子产品等多个领域，尤其是在需要高能效和高可靠性的场合。
封装设计
IRFU120NPBF 采用 TO-251（IPAK）封装，设计紧凑，便于通孔安装，适合现代电子设备的小型化需求。其良好的热传导特性增强了在高负载条件下的散热性能，有助于提高组件的整体稳定性。
结论
综上所述，IRFU120NPBF 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，满足高压高电流应用的需求。其卓越的性能和灵活的应用场景，使得它在电源管理、工业控制及汽车等领域中备受青睐，为工程师和设计师提供了额外的设计自由度和信心。通过合理的电路设计，可以充分发挥其优势，帮助用户实现高效、稳定的电源解决方案。