漏源电压(Vdss) | 55V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 18A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 110mΩ @ 9.6A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 57W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 110 毫欧 @ 9.6A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 650pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 57W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D-Pak | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRFR5505TRPBF 产品概述
IRFR5505TRPBF 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,采用 D-Pak 封装,特别设计用于高压和高电流应用。这款电子元器件的关键参数使其在多个领域中表现出色,包括电源管理、马达驱动和开关电源等。以下将详细介绍其主要参数、应用场景及优势。
IRFR5505TRPBF 主要应用于以下领域:
电源管理: 在开关电源、直流-直流转换器及不间断电源(UPS)中,能提供高效的电源转换能力。
马达控制: 在电动机驱动应用中,能够有效控制电流,确保马达平稳运行,提升整体系统效率。
电动汽车及混合动力汽车: 在电动汽车的动力系统中,IRFR5505TRPBF 可用于电池管理和功率转换,提升电动汽车的续航能力和效率。
消费电子产品: 例如在计算机电源适配器、LED 驱动及其他消费类电子产品的应用场景中,应对各种负载变化,确保稳定供电。
高效能: 具有较低的导通电阻,有助于在高功率应用中显著降低热损耗,提升系统的能源效率。
宽泛的工作范围: 适用的温度范围和高耐压使其在不同环境中安全稳定运行。
可靠性: 作为知名品牌 Infineon 的产品,IRFR5505TRPBF 在工业标准下经过严格测试,具有良好的长期稳定性和可靠性。
便于安装: D-Pak 封装技术便于自动化贴装,同时在散热性能上也具有一定的优势。
IRFR5505TRPBF 是一款高效、可靠的 P 沟道 MOSFET,凭借其独特的电气特性,广泛适用于电源管理、马达控制和其他高功率应用。无论是在消费电子还是工业设备领域,这款 MOSFET 都能为设计师提供出色的性能与灵活性。在选择合适的 MOSFET 时,IRFR5505TRPBF 无疑是一种值得信赖的选择。