IRFPG50PBF
IRFPG50PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.1A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 3.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 190W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2800pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFPG50PBF手册
IRFPG50PBF概述
IRFPG50PBF 产品概述
IRFPG50PBF是由VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N通道MOSFET，专为高电压和高功率应用设计。其出色的电气特性和耐环境能力使其在诸如电源管理、逆变器、马达驱动和功率转换等多种应用中得以广泛使用。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）：IRFPG50PBF的最大漏源电压为1000V，适合高压应用，这使其能够在高电压电路中安全运行。
连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，IRFPG50PBF的连续漏极电流高达6.1A，提供了强大的电流驱动能力，能够满足大部分负载要求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的阈值电压为4V（在250µA条件下），意味着需要较低的栅极电压激活，这是现代电源设计中一个很重要的特性。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在3.6A和10V的条件下，该MOSFET表现出低达2Ω的导通电阻，这可以有效减少导通损耗，提高系统的整体效率。
功率耗散：IRFPG50PBF的最大功率耗散为190W（在Tc=25°C时），这使其能够承受较为严苛的工作环境和高功率负载。
工作温度范围：能在-55°C到150°C之间的温度范围内可靠工作，使该器件适合于多种工作环境，特别是工业以及汽车应用中需要的广泛温度适应性。
封装类型：IRFPG50PBF采用TO-247-3封装形式，适合通孔安装，便于散热和PCB布局，为设计师提供了良好的灵活性。
应用场景
IRFPG50PBF广泛应用于：
- 电力转换器：其高电压和电流规格使其在开关电源和逆变器中能有效管理能量转换。
- 马达驱动：能够承受高启动电流和反向电压，适用于各种电动机驱动系统。
- 电子负载：其稳定的操作特性以及耐高温能力使其适合测试仪器中的电子负载应用。
- 电动汽车及充电基础设施：在电动汽车充电桩和相关功率控制装置中，IRFPG50PBF能够提供高效率的能量管理。
结论
综上所述，IRFPG50PBF 是一款高性能、耐用且适应性强的N通道MOSFET。凭借其优异的电气特性和宽广的应用领域，该器件理想地满足了现代电气和电子设备所需的高效能要求。设计工程师在寻求高压、高效率和可靠性能的半导体解决方案时，IRFPG50PBF无疑是一个优秀的选择。无论是在高电压电源，还是在转换器和电动马达驱动应用中，IRFPG50PBF都能够提供卓越的性能，使其成为电气模块设计的重要组成部分。