IRFP460PBF
IRFP460PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 210nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 280W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP460PBF手册
IRFP460PBF概述
产品概述：IRFP460PBF N 通道 MOSFET
VISHAY 的 IRFP460PBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。其主要规格包括漏源电压（Vdss）高达 500V，支持最大连续漏极电流（Id）为 20A。这些优秀参数使该 MOSFET 在电源管理、电机控制和其他高功率应用中表现出色。
电气参数与性能特征
漏源电压（Vdss）: IRFP460PBF 的漏源电压达到 500V，这使其成为高压应用的理想选择，可以用于逆变器、开关电源和电动马达驱动等场景。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，其导通电阻最大为 270 毫欧，在 12A 的漏极电流下表现优良。这一低导通电阻值有助于减少功率损耗，提高效率，从而降低系统的散热需求。
栅极驱动特性: IRFP460PBF 的栅极电压（Vgs）最大值为 ±20V，可以灵活适应不同电路设计需求。其栅极电荷（Qg）为 210nC，在 10V 条件下测试，表明 MOSFET 可以快速开启和关闭，提升开关效率，尤其适合高频应用。
阈值电压（Vgs(th)）: 在 250μA 的测试电流下，阈值电压 (Vgs(th)) 最大可达 4V，这个参数对于确保 MOSFET 在适当的栅极驱动条件下开始导通至关重要。
功率耗散能力: 该器件的最大功率耗散为 280W（Tc），表明 IRFP460PBF 可在高温环境下正常工作，适用于严酷的工作条件。
工作温度范围: IRFP460PBF 在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作，使其理想用于各种环境，特别是航天、电力和工业控制等应用。
封装与安装
IRFP460PBF 采用 TO-247-3 封装，这种封装不仅提供良好的散热性能，同时也便于通孔安装。TO-247 封装是高功率元件中常用的封装类型，便于兼容标准 PCB 板设计。
应用场景
IRFP460PBF 广泛应用于电力电子行业，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高效能和高电压能力，非常适合用于开关电源设计，以提高整体效率和性能。
- 电机驱动: 可用于电动机控制系统，尤其是在要求高功率和快速开关的场合，保证电机在不同负载状态下的平稳运转。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和其他类型逆变器中，IRFP460PBF 可作为开关器件，连接高压直流与低压交流电流，进行高效能转化。
总结
IRFP460PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET，具有优异的电气性能和极佳的可靠性，适合多种高压高流应用。凭借其独特的技术优势，IRFP460PBF 可以有效地提升电源转换效率，降低能耗，广泛满足各种工业和商业需求。对于设计工程师而言，IRFP460PBF 是实现高效、稳定电源解决方案的理想选择。