IRFP4568PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFP4568PBF

商品编码: BM0000286925
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-247AC
包装 : 
管装
重量 : 
7.16g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 517W 150V 171A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
1545(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
11.35
按整 :
管(1管有400个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11.35
--
10+
¥9.45
--
400+
¥8.99
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP4568PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)150V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)171A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.9 毫欧 @ 103A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)227nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10470pF @ 50V
功率耗散(最大值)517W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC
封装/外壳TO-247-3

IRFP4568PBF手册

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IRFP4568PBF概述

IRFP4568PBF 产品概述

1. 产品简介

IRFP4568PBF 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计侧重于高电压和高电流应用。该器件的主要参数包括最大漏源电压为 150V、连续漏极电流能力高达 171A(在特定的工作条件下),其导通电阻(Rds(on))在10V的栅极驱动下可达最小值为 5.9毫欧,表现出卓越的高效能和稳定性。

2. 主要特性

  • 漏源电压(Vdss): 最高可达150V,适用于各种中高压电源和驱动电路。
  • 连续漏极电流(Id): 171A(条件为 25°C 的散热器温度),则显示出良好的持续负载能力,适合于高功率应用。
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大值为5.9毫欧,确保在高负载下低发热,提升能效,降低散热要求。
  • 栅极驱动电压(Vgs): 设计为10V以实现最佳的开关性能,该器件还拥有最大栅极电压限制为±30V,确保安全操作和可靠性。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为227nC @ 10V,这意味着在高频应用中具有较低的开关损耗。
  • 输入电容(Ciss): 达到10470pF @ 50V,反映出其电路响应的快速度和良好的动态特性。
  • 最大功率耗散: 517W,支持高功率应用,并允许在高电流情况下工作。
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C,适用于严苛环境中的电子设备。
  • 封装: TO-247AC,便于通孔安装,兼具散热性能与机械稳固性。

3. 应用领域

IRFP4568PBF MOSFET 适用于多个挑战性应用领域,包括但不限于:

  • 功率转换器: 该器件可用于各种DC-DC转换器和AC-DC电源中,能够高效处理大电流负载。
  • 电机驱动: 在工业电源管理和电动机控制应用中,IRFP4568PBF 能确保高效和可靠的操作,尤其在需要快速开关和高电压的环境中。
  • 高频开关电源: 能适应高频转换,适合用于现代开关电源设计,进一步降低能量损耗和发热。
  • 电池管理系统: 适合用于电动车和储能系统中的电池开关控制,确保最大能效和扩展器件寿命。

4. 性能优势

  • 高效能和可靠性: 提供低的导通电阻和优越的热管理特性,使得设备在高负载下仍能保持稳定工作。
  • 广泛的工作温度范围: 能够在极端工作环境下运行,确保长期可靠性,使对各种环境的适应性更强。
  • 低开关损耗: 降低了在快速开关过程中的能量损失,为高频应用设计提供支持。

5. 结论

IRFP4568PBF 是一款优秀的N通道MOSFET,适合高电压、高电流应用,能够满足现代电子设备对能效和可靠性的严苛要求。凭借其优越的性能和适应性,该产品在功率半导体市场中有着广泛的应用潜力,为设计工程师们提供了方便,使其能够在电源管理、电机控制和高频电子设备中的设计中充分利用这些特性。无论是在工业、消费电子还是新能源领域,IRFP4568PBF 显示出其强大的适应性与领先技术,值得工程师们考虑应用于他们的产品设计中。