FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 171A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5.9 毫欧 @ 103A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 227nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 10470pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 517W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4568PBF 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计侧重于高电压和高电流应用。该器件的主要参数包括最大漏源电压为 150V、连续漏极电流能力高达 171A(在特定的工作条件下),其导通电阻(Rds(on))在10V的栅极驱动下可达最小值为 5.9毫欧,表现出卓越的高效能和稳定性。
IRFP4568PBF MOSFET 适用于多个挑战性应用领域,包括但不限于:
IRFP4568PBF 是一款优秀的N通道MOSFET,适合高电压、高电流应用,能够满足现代电子设备对能效和可靠性的严苛要求。凭借其优越的性能和适应性,该产品在功率半导体市场中有着广泛的应用潜力,为设计工程师们提供了方便,使其能够在电源管理、电机控制和高频电子设备中的设计中充分利用这些特性。无论是在工业、消费电子还是新能源领域,IRFP4568PBF 显示出其强大的适应性与领先技术,值得工程师们考虑应用于他们的产品设计中。