IRFL210TRPBF
IRFL210TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 960mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 580mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），3.1W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRFL210TRPBF手册
IRFL210TRPBF概述
产品概述：IRFL210TRPBF
VISHAY（威世）出品的IRFL210TRPBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为高电压应用而设计。它在电力电子设备中扮演着重要的角色，尤其适用于需要高效率和高耐压的场合。IRFL210TRPBF的主要特点包括其卓越的电气性能、广泛的工作温度范围及优越的热管理能力，使其成为各种工业和消费类应用的理想选择。
主要参数
FET类型与技术：IRFL210TRPBF采用的是N通道MOSFET结构，利用金属氧化物半导体技术提高效率和性能。
漏源电压（Vdss）：该MOSFET能够承受高达200V的漏源电压，令其在高电压电源管理和开关电路中表现出色。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，IRFL210TRPBF可提供960mA的连续漏极电流，适合于功率转换与分配。
导通电阻（Rds On）：在10V的栅极驱动电压下，该器件的最大导通电阻为1.5欧姆（@580mA），展现出优异的导电性能，降低了功率损耗。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：其最大阈值电压为4V，确保了在较低的栅极电压条件下的启用和稳定操作。
静态栅极电荷（Qg）：具有低至8.2nC的栅极电荷，意味着更快的开关速度及更低的驱动功耗，这是快速开关应用中的关键特征。
功率耗散：IRFL210TRPBF的最大功率耗散为2W（环境温度）和3.1W（结温），适合于需要较高功率处理的场合。
工作温度范围：该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于恶劣环境和极端温度条件下的应用。
封装类型：IRFL210TRPBF采用SOT-223紧凑封装，便于进行表面贴装，适合现代电子电路的集成需求。
应用领域
IRFL210TRPBF的高耐压和高电流特性使其广泛应用于多个领域。典型应用包括：
- 电源管理：可用于DC-DC转换器、AC-DC电源等高效电源系统。
- 马达控制：适用于电机驱动和控制电路，提高效率和可靠性。
- 开关电源：在开关模式电源（SMPS）中，扮演关键的开关元件，可显著提升能量转换率。
- 汽车电子：用于各种电气和电子系统中，如电池管理系统、车载充电器等，满足汽车行业对高可靠性和高耐温性能的要求。
总结
IRFL210TRPBF是一款高效、可靠的N通道MOSFET，凭借其出色的电性能参数和适应多种工作环境的能力，成为电源管理、电机控制和开关电源等诸多应用的理想选择。无论是在工业应用还是消费类电子产品中，IRFL210TRPBF都体现了VISHAY在电子元器件领域的先进设计和制造能力，从而为客户提供高质量、高性能的解决方案。