IRFH5006TRPBF
IRFH5006TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4175pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），156W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
IRFH5006TRPBF手册
IRFH5006TRPBF概述
产品概述：IRFH5006TRPBF N通道 MOSFET
IRFH5006TRPBF是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它在电子设计中广泛应用，尤其是在功率管理和电源转换领域。该器件以其出色的电气特性和可靠性，成为现代电子设备中关键元件之一。
1. 基本技术参数
IRFH5006TRPBF的主要规格包括：
漏源电压（Vdss）: 60V。这一高额定电压使得该MOSFET可以在多种工业和消费电子应用中安全工作。
连续漏极电流（Id）: 在25°C条件下，该MOSFET能够承受21A的持续电流，在更高温度条件下（Tc）可达100A，表现出极强的电流承载能力。
导通电阻（Rds On）: 在10V的栅极驱动电压下，Id为50A时的最大导通电阻仅为4.1毫欧。这表示在工作状态下能量损耗极小，能够有效提升电源转换效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为4V @ 150µA，这意味着在小电流时就能有效开启该MOSFET，提高了驱动电路的灵活性。
栅极电荷（Qg）: 在10V时，栅极电荷为100nC。较小的栅极电荷有助于提高开关速度，减少开关损耗。
2. 结构与封装
IRFH5006TRPBF采用8-PQFN封装（5x6mm），这是一种表面贴装型封装，适合现代化紧凑型电路板设计。该封装的设计有助于降低热阻，提升散热性能，使其在高功率应用中表现更加可靠。封装的紧凑性也使其适合在空间有限的应用场景中使用，如便携式设备和高密度电源模块中。
3. 功率耗散与工作温度
IRFH5006TRPBF的最大功率耗散为3.6W（在环境温度Ta下）和156W（在结温Tc下），显示了其在高负载情况下一流的热管理能力。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，进一步扩展了其可适用的环境条件，使得它在苛刻环境中依然能够稳定运行。
4. 应用领域
IRFH5006TRPBF的特性特别适用于以下领域：
电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源等设备中，以实现更高的能量转换效率。
电动汽车：作为电机驱动控制和动力管理中的关键元件。
工业自动化：在机械控制和机器人中的应用，提高整体系统的响应速度和可靠性。
消费电子：在智能设备、充电器、移动电源等产品中，帮助提高能效和性能。
5. 总结
IRFH5006TRPBF是一款功能强大的MOSFET，凭借其优越的电气性能、高额定电压和电流、优秀的热管理和宽广的工作温度范围，成为了现代电子产品中一个不可或缺的组件。其低导通电阻和出色的开关性能使其在各种应用中都能提高能量效率，从而满足日益增长的市场需求。无论是在高端工业设备还是日常消费电子产品中，IRFH5006TRPBF都展现了强大的应用潜力和灵活性，是设计师优化产品性能的理想选择。