IRFB7437PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFB7437PBF

商品编码: BM0000286920
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.75g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 230W 40V 195A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
2048(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.44
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.44
--
50+
¥2.64
--
1000+
¥2.2
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB7437PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 150µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)225nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7330pF @ 25V
功率耗散(最大值)230W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRFB7437PBF手册

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IRFB7437PBF概述

IRFB7437PBF 产品概述

1. 基本信息

IRFB7437PBF是一款高性能的N通道MOSFET,采用了先进的金属氧化物半导体技术,适用于各种高效电力转换应用。该器件的额定漏源电压(Vdss)为40V,能够承受高达195A的连续漏极电流,非常适合在高电流环境下工作。MOSFET的封装采用TO-220AB,这种封装形式有助于良好的散热性能,进而提高器件的可靠性和使用寿命。

2. 主要特性

  • 漏源电压 (Vdss): 40V,适合于中高电压的电源管理和开关应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 195A(Tc@25°C),能够处理高电流负载,特别适合电源转换器和电动机驱动等领域。
  • 导通电阻 (Rds On): 最大值为2毫欧(@100A, Vgs=10V),极低的Rds On值显著减少了在高负载条件下的功率损耗,提高了系统的整体效率。
  • 驱动电压 (Vgs): 6V至10V,良好的驱动电压范围方便了与不同驱动电路的兼容性。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3.9V(@150µA),有助于确保器件在较低的驱动电压下仍然能够迅速开关。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为7330pF(@25V),提供了相对较小的输入电容,减少了开关时延和驱动功耗。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为225nC(@10V),在驱动高频开关的应用中,可有效减少功耗。

3. 工作环境与可靠性

IRFB7437PBF具有极宽的工作温度范围,从-55°C至175°C (TJ),使得该器件在恶劣环境条件下依然能够稳定工作。极高的功率耗散能力(最大230W)使其能在大量应用中应对复杂的热管理问题,如电动汽车、轨道交通、工业自动化和风能系统等。

4. 应用领域

  • 电源转换器:IRFB7437PBF在DC/DC变换器和AC/DC电源中应用广泛,凭借其高效率和低损耗,极大提高了电源的整体性能。
  • 电动机驱动:其高电流特性使得该MOSFET非常适合用于直流电动机和无刷电动机的控制,能够有效地驱动各类电动机。
  • 高频开关电路:得益于较低的栅极电荷和输入电容,IRFB7437PBF可在高频开关应用中展现优异性能。

5. 竞争优势

作为Infineon(英飞凌)推出的一款产品,IRFB7437PBF不仅在技术规格上领先,且在品质和可靠性上具有显著优势。英飞凌作为功率半导体领域的领军者,长久以来以创新和高质量的产品著称。该MOSFET的出色性能使其紧密契合现代电力电子设备对高效率和小型化的需求。

结论

总的来说,IRFB7437PBF是一款稳定、高效且多用途的N通道MOSFET,适合于各类高功率应用。无论是在电源转换、电动机驱动还是高频开关电路中,其卓越的性能和可靠性均能提供无与伦比的支持,是工程师开发高效能电力系统的理想选择。