IRFB52N15DPBF
IRFB52N15DPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 51A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 36A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 89nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2770pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），230W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB52N15DPBF手册
IRFB52N15DPBF概述
IRFB52N15DPBF 产品概述
产品简介
IRFB52N15DPBF是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名的电子元件供应商Infineon（英飞凌）制造。此器件采用TO-220AB封装，设计用于支持多种高电压和高电流应用，特别适合于电源管理、电动机驱动和工业控制等领域。其卓越的电流承载能力和低导通电阻使其成为现代功率电子系统中不可或缺的组件之一。
主要规格
IRFB52N15DPBF的关键规格如下：
- FET 类型: N 通道
- 最大漏源电压 (Vdss): 150V
- 连续漏极电流 (Id): 51A （在25°C环境下）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大32毫欧 @ 36A，10V
- 栅极驱动电压 (Vgs): 最大±30V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大5V @ 250µA
- 输入电容 (Ciss): 最大2770pF @ 25V
- 输出电流 (Qg): 最大89nC @ 10V
- 功率耗散: 最大功耗为3.8W （环境温度Ta），和230W （结温Tc）
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C （结温TJ）
- 封装类型: TO-220AB
应用领域
IRFB52N15DPBF的高压和高电流能力使其在众多应用中表现出色。以下是其常见应用领域：
电源供应: 适用于开关电源、DC-DC变换器和不间断电源（UPS）系统，提高系统的居间稳定性和效率。
电动机驱动: 在变频驱动器中，能够高效控制电动机的起动、速度和方向，适用于工业自动化和家用电器。
电池管理: 在电池充电和管理系统中，作为开关元件来控制充电和放电过程，实现高效能量转移。
能量转换: 在太阳能逆变器中，提高光伏发电的能量转换效率，支持可再生能源的应用。
性能优势
低导通电阻: IRFB52N15DPBF的32毫欧导通电阻在其电流等级下表现出色，减少了开关损耗，提高了系统的整体能效。
高额定电流和电压: 最大51A的漏极电流搭配150V的漏源电压，确保其能够处理高功率应用，提高系统稳定性。
宽温范围: 可在-55°C至175°C的宽广温度范围内可靠工作，使其适应极端环境条件。
优良的栅极电荷特性: 89nC的栅极电荷能够在较低的驱动电压下实现快速开关，减少开关损耗，提升系统速度。
强大的功率耗散能力: 支持高达230W的功率耗散，确保在高温情况下也能保持稳定的运行，具有良好的散热性能。
结论
总之，IRFB52N15DPBF是一款兼具高性能和多功能性的MOSFET，适用于广泛的功率电子应用。其卓越的电气特性使其成为电源管理、电动机驱动及其他工业应用中的理想选择。凭借英飞凌的品牌信誉和产品质量，IRFB52N15DPBF将为使用者提供长期可靠的性能和稳定的运行。无论是在电力转换、工业控制还是可再生能源系统中，它都能够满足现代电子设备对高效、可靠元件的需求。