IRFB4710PBF
IRFB4710PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 75A |
| 栅源极阈值电压 | 5.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 14mΩ @ 45A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.8W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 45A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 170nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6160pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4710PBF手册
IRFB4710PBF概述
IRFB4710PBF 产品概述
IRFB4710PBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为需要高功率和高效率的应用而设计。这款元器件可以承受高达100V的漏源电压（Vdss），并且在25°C时，其连续漏极电流（Id）可达到75A，使其在各种电力电子应用中展现出卓越的性能。其栅源极阈值电压为5.5V @ 250µA，确保了在低电压开关的环境中良好的导通特性。
技术规格
这款MOSFET的漏源导通电阻（Rds(on)）在45A，10V驱动电压下最大值可低至14mΩ，这意味着它可有效地减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，IRFB4710PBF的栅极电荷（Qg）为170nC @ 10V，确保快速开关性能，降低了开关损耗，对于高频PWM控制应用尤为重要。
IRFB4710PBF的输入电容（Ciss）最大值为6160pF @ 25V，这一特性使其在高频应用中表现出良好的瞬态响应。最大功率耗散能力为3.8W（在环境温度Ta=25°C时）和200W（在芯片温度Tc时），提供足够的热管理灵活性，适用于不同温度条件下的应用环境。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适合在极端条件下运行。
封装与安装
这款元器件采用TO-220AB封装，适合通孔安装。这种封装形式不仅有助于提高散热性能，还便于与散热器的结合，适应高功率应用中的散热需求。TO-220AB封装的设计使IRFB4710PBF在物理尺寸和散热管理之间取得良好平衡，适合体积受限但又需要强大功率处理能力的场合。
应用场景
IRFB4710PBF的应用范围广泛。在DC-DC变换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）以及电源管理系统中，皆能看到其身影。此外，由于其低导通电阻和高开关速度，它在开关电源和逆变器等应用中同样表现出色。无论是在消费电子、工业设备还是新能源汽车的功率转换系统中，IRFB4710PBF都是一个理想的选择。
总结
总之，IRFB4710PBF是一款功能强大、表现卓越的N沟道MOSFET，凭借其高压、高电流的处理能力、优秀的导通特性和宽广的工作温度范围，使其在许多高性能电力电子应用中成为非常理想的元器件。无论是在设计高效的电源系统、驱动电机、还是在其他需要快速开关和低功耗的应用中，IRFB4710PBF都能够为工程师提供可靠的解决方案。选择IRFB4710PBF，将为您的设计带来出色的性能与效率，确保设备在高负载情况下稳定运行。