FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A,2.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 190pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
IRF9952TRPBF 是一款高性能的双极场效应管(MOSFET),由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。本产品集成了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,适合用于各种逻辑电平控制和开关电源应用。该器件采用了先进的工艺技术,确保在宽广的工作条件下依然可以提供出色的性能和可靠性。
IRF9952TRPBF 的漏源电压(Vdss)高达30V,这使得它能够在中等电压条件下正常工作。此外,其最高连续漏极电流分别为N沟道 3.5A和P沟道2.3A,这为多种应用提供了较大的负载能力。
在导通状态下,IRF9952TRPBF的最大导通电阻(Rds(on))为100毫欧(在2.2A和10V的条件下),这使得其在开关频率较高的电路中表现出较小的功耗,提升了系统的整体效率。从而适用于开关电源、直流电机驱动及其他高频应用场合。
此外,该器件的门阈电压(Vgs(th))最大值为1V(在250µA条件下),这使得其可以在低电压条件下就能实现良好的驱动性能。同时,当施加10V的栅极驱动电压时,栅极电荷(Qg)最大为14nC,保证了器件快速切换的能力。
IRF9952TRPBF的输入电容(Ciss)最大值为190pF(在15V条件下),这一特性极大地简化了驱动电路的设计,为提高开关速度和降低驱动功耗提供了保障。其输出特性在高驱动能力和低导通损耗之间达到了良好的平衡,使其在多种负载条件下都能可靠运行。
IRF9952TRPBF适用的工作温度范围为-55°C至150°C,这为器件在恶劣环境条件下的应用提供了极大的灵活性。无论是在汽车电子、工业控制,还是在便携式设备中,都能保证仪器的长期稳定性与可靠性。
该MOSFET采用 SO-8 表面贴装封装,其尺寸为 3.90mm 宽,易于在自动化制造中进行安装。SO-8 封装的紧凑设计不仅优化了空间的利用,减少了PCB(印刷电路板)的面积,而且还增强了电气性能,方便实现高密度集成和散热管理。
IRF9952TRPBF 的广泛应用包括但不限于:
由于其综合性能优越和强大的适用范围,IRF9952TRPBF 被广泛应用于现今电子设计中,满足了多种功率管理和控制的需求。
综上所述,IRF9952TRPBF 是一款高效、稳定且功能多样的MOSFET,具有出色的电气性能、宽广的工作温度范围以及方便的封装形式。这些特性使得IRF9952TRPBF成为现代电子创作中的一款理想选择,适合从消费类到工控及汽车电子等不同领域的广泛使用。对于设计师来说,使用IRF9952TRPBF能够有效提升项目的可靠性与效率。