IRF9952TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF9952TRPBF

商品编码: BM0000286917
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.116g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 3.5A;2.3A 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.33
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.33
--
100+
¥1.86
--
1000+
¥1.66
--
2000+
¥1.57
--
4000+
¥1.49
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF9952TRPBF参数

FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A,2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)100 毫欧 @ 2.2A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)14nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)190pF @ 15V
功率 - 最大值2W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

IRF9952TRPBF手册

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IRF9952TRPBF概述

产品概述:IRF9952TRPBF

一、基本特性

IRF9952TRPBF 是一款高性能的双极场效应管(MOSFET),由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。本产品集成了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,适合用于各种逻辑电平控制和开关电源应用。该器件采用了先进的工艺技术,确保在宽广的工作条件下依然可以提供出色的性能和可靠性。

二、电气特性

IRF9952TRPBF 的漏源电压(Vdss)高达30V,这使得它能够在中等电压条件下正常工作。此外,其最高连续漏极电流分别为N沟道 3.5A和P沟道2.3A,这为多种应用提供了较大的负载能力。

在导通状态下,IRF9952TRPBF的最大导通电阻(Rds(on))为100毫欧(在2.2A和10V的条件下),这使得其在开关频率较高的电路中表现出较小的功耗,提升了系统的整体效率。从而适用于开关电源、直流电机驱动及其他高频应用场合。

此外,该器件的门阈电压(Vgs(th))最大值为1V(在250µA条件下),这使得其可以在低电压条件下就能实现良好的驱动性能。同时,当施加10V的栅极驱动电压时,栅极电荷(Qg)最大为14nC,保证了器件快速切换的能力。

三、输入和输出特性

IRF9952TRPBF的输入电容(Ciss)最大值为190pF(在15V条件下),这一特性极大地简化了驱动电路的设计,为提高开关速度和降低驱动功耗提供了保障。其输出特性在高驱动能力和低导通损耗之间达到了良好的平衡,使其在多种负载条件下都能可靠运行。

四、温度和环境适应性

IRF9952TRPBF适用的工作温度范围为-55°C至150°C,这为器件在恶劣环境条件下的应用提供了极大的灵活性。无论是在汽车电子、工业控制,还是在便携式设备中,都能保证仪器的长期稳定性与可靠性。

五、封装与安装

该MOSFET采用 SO-8 表面贴装封装,其尺寸为 3.90mm 宽,易于在自动化制造中进行安装。SO-8 封装的紧凑设计不仅优化了空间的利用,减少了PCB(印刷电路板)的面积,而且还增强了电气性能,方便实现高密度集成和散热管理。

六、应用领域

IRF9952TRPBF 的广泛应用包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS)
  • 直流-直流电源转换器(DC-DC Converter)
  • 电机驱动控制
  • 逻辑电平信号的隔离和切换
  • 便携式电子设备

由于其综合性能优越和强大的适用范围,IRF9952TRPBF 被广泛应用于现今电子设计中,满足了多种功率管理和控制的需求。

七、总结

综上所述,IRF9952TRPBF 是一款高效、稳定且功能多样的MOSFET,具有出色的电气性能、宽广的工作温度范围以及方便的封装形式。这些特性使得IRF9952TRPBF成为现代电子创作中的一款理想选择,适合从消费类到工控及汽车电子等不同领域的广泛使用。对于设计师来说,使用IRF9952TRPBF能够有效提升项目的可靠性与效率。