封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 500V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 500V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 850 毫欧 @ 4.8A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1100pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 125W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品简介
IRF840LCPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),专为高电压和高电流应用而设计。该器件具有卓越的耐压能力(漏源电压 Vdss 高达 500V)、较大的连续漏极电流(Id 为 8A @ 25°C)以及相对较小的导通电阻。这些特性使得 IRF840LCPBF 成为电源转换、电机驱动和其他高功率电子线路中非常理想的开关元件。
技术参数
IRF840LCPBF 的主要技术参数包括:
应用场景
IRF840LCPBF 被广泛应用于:
优势与特点
结论
作为 VISHAY(威世)公司的优质产品,IRF840LCPBF 在电源管理与高功率应用领域中凭借其卓越的性能和可靠性,已成为许多工程师和设计师推荐的理想选择。其高耐压、低导通阻抗和良好的热管理能力,使得该器件在不断发展的电子产品中,保持着极高的竞争力与适用性。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子领域,IRF840LCPBF 都能够为设计提供强有力的支持,并为最终产品赋予卓越的性能表现。