IRF820PBF
IRF820PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3Ω @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 50W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF820PBF手册
IRF820PBF概述
IRF820PBF 产品概述
概述
IRF820PBF 是由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的一款 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有优异的性能和广泛的应用范围。其主要参数包括漏源电压（Vdss）高达 500V、连续漏极电流（Id）为 2.5A，以及最大功率耗散能力为 50W。这些特性使得 IRF820PBF 特别适合用于高电压、高功率的电子电路中，尤其是在开关电源、逆变器及其他相关应用中。
关键技术参数
漏源电压（Vdss）: 500V
- 该参数阐明了 MOSFET 能承受的最大漏源电压，确保其在高电压环境下的可靠性。
连续漏极电流（Id）: 2.5A @ 25°C
- 定义了在特定温度条件下，MOSFET 可以承受的最大持续电流。这表示 IRF820PBF 可以用于要求稳定电流输出的应用。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
- 该值决定了 MOSFET 的开启电压，意味着驱动电路需要施加至少 4V 的电压才能使 MOSFET 开始导通。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 3Ω @ 1.5A, 10V
- 该参数表明在导通状态下的电阻值，对应的电流和栅电压关系能够影响电源转换效率。
最大功率耗散（Pd）: 50W @ Tc
- 表示在规定的结温下，MOSFET 能够安全消耗的最大功率，展示了其在功率管理方面的可靠性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 表明该元器件能够在极端环境下稳定工作，使其适合于工业、汽车及军事等要求严格的应用环境。
输入电容（Ciss）: 360pF @ 25V
- 输入电容的大小影响开关速度，较小的输入电容有助于提高开关速度和效率。
栅极电荷 (Qg): 24nC @ 10V
- 栅极电荷影响驱动电路的性能，较小的栅电荷可以减小开关损耗和驱动功耗。
应用领域
IRF820PBF 的技术特点使其在众多应用领域中蓬勃发展。以下是一些典型应用场景：
开关电源: IRF820PBF 可应用于开关电源中，作为高效开关元件，提供良好的导通和关闭性能，有助于提高电源的转换效率。
逆变器: 此 MOSFET 适合用作逆变器中的功率开关，处理直流到交流的变换，常见于太阳能逆变器及不间断电源。
电机驱动: 在电机驱动应用中，IRF820PBF 可用于驱动电机的高效开关控制，帮助实现精确的速度和位置控制。
家电和工业控制系统: 通常在各种家电产品及工业控制系统中，IRF820PBF 可用作负载控制或功率管理。
封装与安装
IRF820PBF 采用 TO-220AB 封装，具有较好的散热性能和易于安装的特性，适用于通孔安装的电路设计。此种封装形式提供便利的散热处理，有助于提升元器件的工作稳定性和寿命。
结论
通过对 IRF820PBF 的详细参数分析，可以看出其作为高电压 N 沟道 MOSFET 在多种应用中具有明显优势。凭借其高漏源电压、适中的连续漏极电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，IRF820PBF 是开发高效电源管理方案和高性能电路的理想选择。针对现代电子电路对高功率效率及可靠性的需求，IRF820PBF 将继续发挥重要作用。