IRF7413TRPBF
IRF7413TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 7.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 79nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7413TRPBF手册
IRF7413TRPBF概述
IRF7413TRPBF 产品概述
一、产品基本信息
IRF7413TRPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET，具有广泛的适用性和优越的电气性能，特别适合于各种电子电路和系统中，如功率管理、开关电源和电机驱动等应用。其关键参数包括漏源电压（Vdss）为 30V，连续漏极电流（Id）可达 13A，具有高效的导通性能和较低的导通电阻。
二、主要参数
- 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 最大连续漏极电流（Id @ 25°C）: 13A
- 导通电阻（Rds On @ 10V, 7.3A）: 11mΩ
- 最大栅极电压（Vgs）: ±20V
- 阈值电压（Vgs(th) @ 250µA）: 最大 3V
- 栅极电荷（Qg @ 10V）: 最大 79nC
- 输入电容（Ciss @ 25V）: 最大 1800pF
- 功率耗散（最大值）: 2.5W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: SOIC-8
三、性能优势
低导通电阻: IRF7413TRPBF 的导通电阻为 11mΩ，使其在较高电流下依然保持低功耗，有效降低了系统的能耗以及发热量。这一特性对于高效功率转换和热管理至关重要。
高电流处理能力: 该型号 MOSFET 最大可支持 13A 的连续漏极电流，适用于电动机驱动及大功率类应用。无论是在功率管理电路还是负载驱动中，IRF7413TRPBF 都表现出良好的电流承载能力。
宽工作温度范围: IRF7413TRPBF 的工作温度范围非常宽广，从 -55°C 到 150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适合于工业、大气及其他苛刻条件下的应用。
优良的开关特性: 该器件的栅极电荷（Qg）较低，达 79nC，意味着其在开关时的响应速度快，有助于提高开关频率，减少开关损失，从而提高整体电路效率。
四、应用领域
由于其卓越的性能，IRF7413TRPBF 被广泛应用于多种电子设备和系统，包括但不限于：
开关电源: 在 DC-DC 转换器、逆变器和功率电路中，IRF7413TRPBF 可帮助提高转换效率和功率管理能力。
电机驱动: 适用于直流和步进电机的驱动，能够以高效率控制电机速度和扭矩，广泛应用于自动化设备和机器人领域。
优质音频放大器: 在音频放大器电路中，IRF7413TRPBF 可用于音频信号的高频开关，提高放大器的线性度和性能。
电池管理系统: 在电池充电和放电管理中，该 MOSFET 能够高效控制电流流动，确保电池安全高效地运行。
五、总结
IRF7413TRPBF 是一款高可靠性、高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流能力和宽温度适应性，成为了众多工业和消费电子应用的重要元件。无论是在设计电源管理方案，还是在电动机驱动电路中，IRF7413TRPBF 都能提供卓越的电气性能和稳定性，是电子工程师值得信赖的选择。通过正确应用这款 MOSFET，您可以有效提高产品的性能和可靠性，满足现代电子产品对高效能、高可靠性的需求。