IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.6A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 73mΩ @ 2.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 73 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 660pF @ 25V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7380TRPBF手册
IRF7380TRPBF概述
IRF7380TRPBF 产品概述
一、产品简介
IRF7380TRPBF 是一款高性能、双 N 沟道功率场效应管 (MOSFET)，由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。该器件在电力电子和开关电源的应用中具有出色的性能。其主要参数包括漏源电压（Vdss）达到 80V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达 3.6A，同时其漏源导通电阻为 73mΩ @ 10V，2.2A，适合要求高电流和低功耗的电路设计。
二、产品特性
漏源电压（Vdss）: IRF7380 设计额定漏源电压为 80V，使其能够在多种高压应用中稳定工作，适合用于 DC-DC 转换器和电动机驱动等领域。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 的连续漏极电流为 3.6A，便于高功率负载的驱动与控制。
阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为 4V @ 250µA，确保在较低的栅电压下便能启动，支持逻辑电平驱动，兼容低电压控制信号。
导通电阻（Rds(ON)）: 最大导通电阻为 73mΩ，确保高效率的能量传导，能有效降低在开关过程中的功耗，减少热损失。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 下，栅极电荷为 23nC，意味着该 MOSFET 支持快速开关操作，适合于高频应用，减少开关损耗。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 660pF @ 25V，提供了相对较低的输入电容值，支持更快的开关速度。
功率耗散: IRF7380 的最大功率耗散为 2W，这使其在高温工作环境中（工作温度范围为 -55°C 至 150°C）仍能保持稳定的运行性能，适应严苛的工作条件。
封装设计: 采用 8-SOIC 封装，小巧而且适合表面贴装（SMD），便于在紧凑型电路板设计中使用，节省空间，提高设计的灵活性。
三、应用领域
IRF7380TRPBF 被广泛应用于以下领域：
开关电源: 在开关电源设计中，IRF7380 的高效率和可靠性使其成为理想选择，确保电源转换过程中的能效最大化。
电动机驱动: 由于其较高的漏源电压与电流能力，该 MOSFET 可用于电动机控制和驱动应用，实现精准控制。
电压调节器: 在 LDO 和 DC-DC 转换器中，该器件能够提供稳定的电压输出，与其他电路元件协同工作。
逆变器: 对于逆变器设计，IRF7380 具有快速开关能力，确保能量转换效率，并降低热量产生。
四、总结
IRF7380TRPBF 是一款性能优越的双 N 沟道 MOSFET，适用于多种电力电子应用。凭借其高漏源电压、低导通电阻及较大的电流能力，以及优秀的开关性能，该器件能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。无论是在高效能的电源管理、驱动电动机，还是在追求高效能的开关电路设计中，IRF7380 都是一个极具吸引力的选择。