IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.8 毫欧 @ 8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1330pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7351TRPBF手册
IRF7351TRPBF概述
产品概述：Infineon IRF7351TRPBF
介绍：
IRF7351TRPBF 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能 N 通道场效应管（MOSFET），专为满足现代电子设备对高效率、低功耗以及高可靠性要求而设计。该产品采用了 SO-8 表面贴装封装，适用于各种自动化焊接和紧凑的电路板设计。其优异的电气特性和宽广的应用场景，使得 IRF7351TRPBF 成为集成电路和功率转换设计中极具吸引力的选择。
性能特点：
电压和电流规格：IRF7351TRPBF 的漏源电压（Vdss）额定值为 60V，连续漏极电流（Id）可达 8A。这一性能使得该 MOSFET 能够在中高电压应用中稳定工作，确保了高电流负载下的可靠性。
导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压（Vgs）下，IRF7351TRPBF 的最大导通电阻仅为 17.8 毫欧。这一特性显著降低了热损耗和功率消耗，使得有效的电流控制成为可能，有助于有效提升整体效率。
栅极阈值电压：该器件的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为 4V，保证即使在较低的栅极电压下也能实现有效的开关控制，增强了其在逻辑电平驱动下的适用性。
开关特性：IRF7351TRPBF 的最大栅极电荷（Qg）为 36nC，这意味着在驱动过程中所需的能量较低，从而有利于快速响应和高效开关操作，对于高频应用尤为重要。
输入电容：其输入电容（Ciss）在 30V 下最大值为 1330pF，相对较低的输入电容能够帮助简化驱动电路设计，减少信号延迟。
工作温度范围：IRF7351TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，极宽的操作温度范围使得该器件在各种恶劣环境条件下仍然能够正常运行，确保了系统的稳定性与可靠性。
功率处理能力：该 MOSFET 的最大功率处理能力为 2W，适合多种功率相关的应用场景，比如开关电源、直流电机驱动、电源管理与信号处理。
应用场景：
IRF7351TRPBF 适用于广泛的应用领域，包括但不限于：
- 开关电源
- DC-DC 转换器
- 电机控制器
- LED 驱动电路
- 工业自动化设备
- 汽车电子（如电动驱动系统）
- 通信设备
作为一款高效的 N 通道 MOSFET，IRF7351TRPBF 不仅能够提升电路设计的性能，还能有效降低系统的能耗和热量积累。因此，对于追求高性能和高能效的电子设计工程师来说，IRF7351TRPBF 是一个理想的选择。
总结：
总体而言，英飞凌的 IRF7351TRPBF 以其卓越的电气特性和优越的工作稳定性，充分满足了现代电子应用的需求。它不仅能帮助工程师在设计中实现更高的功率密度与效率，还能应对严苛的环境条件，确保长时间运行的可靠性。适合在多种电子应用中引入创新与提升性能，IRF7351TRPBF 代表了当今 MOSFET 技术的先进水平。