IRF7341TRPBF
IRF7341TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.7A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 4.7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 740pF @ 25V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7341TRPBF手册
IRF7341TRPBF概述
产品概述：IRF7341TRPBF
引言
IRF7341TRPBF 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能双 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），专为低功耗、高效能应用而设计。它采用先进的制造技术，提供优越的电气特性和可靠性，适用于各种电子电路中的开关和放大应用。
基本规格
IRF7341TRPBF 的关键电气参数如下：
- 漏源电压 (Vdss)：55V
- 连续漏极电流 (Id)：4.7A（在 25°C 条件下）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：1V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (RDS(on))：50mΩ @ 4.7A, 10V
- 最大功率耗散：2W (在环境温度 Ta=25°C)
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C (TJ)
- 封装类型：SO-8（0.154"，3.90mm 宽）
电气特性
IRF7341TRPBF 的显著特点是其低导通电阻和高漏源电流能力，使其在高电压和高电流的应用场合中极具竞争力。50mΩ 的导通电阻确保在通电时的能量损耗最小化，从而提升整体能效。其 Vgs(th) 为 1V，表示该 MOSFET 的开启电压非常低，非常适合逻辑电平应用，例如与微控制器或数字电路级联时。
工作性能
该器件在多种工作条件下都表现出良好的电气性能。漏源电流 Id 最大可达到 4.7A，适合在中等功率的应用中工作。其设计考虑到高频率工作所需的输入电容 (Ciss) 为 740pF @ 25V，确保在快速开关操作时保持良好的信号完整性。
应用场景
IRF7341TRPBF 被广泛应用于各种工业和消费类电子产品中，包括但不限于：
- 开关电源
- 电机驱动电路
- LED 驱动器
- 线性稳压器
- DC-DC 转换器
其逻辑电平门特性使该 MOSFET 特别适合用于低电压控制电路，广泛适用于嵌入式系统中，如智能手机、微控制器、FPGA 和其他数字电路。
热管理与封装
IRF7341TRPBF 的最大功率耗散为 2W，结合其广泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)，在设计时可以使用户更好地进行热管理。SO-8 表面贴装型封装也使其在 PCB（印刷电路板）设计中更加灵活，适合高密度布局要求。
总结
综上所述，IRF7341TRPBF 是一款高效能、低功耗的双 N 沟道 MOSFET，搭载了一系列出色的电气特性和广泛的应用场景。无论是用于工业设备还是消费电子产品，该 MOSFET 的性能都能满足现代电子设计的要求。因此，IRF7341TRPBF 是提高系统效率、降低能耗的重要选择，助力工程师在电子产品设计中取得更高的成就。