IRF640PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB
包装 :
袋装
重量 :
2.68g
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 200V 18A 1个N沟道 ITO-220AB-3
库存 :
4534(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
3.21按整 :
袋(1袋有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.21
--
100+
￥2.57
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1000+
￥2.37
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15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF640PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 180mΩ @ 11A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 125W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF640PBF手册
IRF640PBF概述
IRF640PBF 产品概述
型号: IRF640PBF
品牌: VISHAY (威世)
封装类型: TO-220AB
产品简介
IRF640PBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），适用于各种电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器和其他需要高效开关的电路应用。凭借其出色的电气参数和可靠的工作性能，IRF640PBF 在业界广泛应用，尤其是在低压大电流的高频应用场景中。
基本性能参数
- 漏源电压（Vdss）: 200V
- 连续漏极电流（Id）: 18A（在 Tc = 25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V（@ 250μA）
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 180mΩ （@ 11A, 10V）
- 最大功率耗散: 125W（在 Tc 下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）
关键性能指标分析
- 漏源电压: IRF640PBF 的最高漏源电压为 200V，使其适用于中高压应用，这在电源转换和电机控制中非常重要。
- 导通电阻: 其最大导通电阻为 180mΩ，在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
- 电流承载能力: 18A 的连续漏极电流能力，允许设备在大负载条件下工作而不必担心过热和失效。
- 栅极驱动要求: 具备 10V 的驱动电压下可以实现最小的导通电阻，确保在高频率开关时仍能够获得良好的导通性能。
应用场景
IRF640PBF MOSFET 由于其高效和高可靠性的特点，广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理: 适用于电源开关、逆变器、和电池管理系统，尤其是在需要快速开关和高电流流动的场合。
- 电机控制: 可以用于控制电动机的驱动电路，允许高效的电动机控制以提升整体电力效率。
- DC-DC 转换器: 在 DC-DC 转换器中，此 MOSFET 可作为开关元件使用，提升转换效率，并增强系统性能。
- 灯控驱动: 适合用作 LED 驱动器，特别是在汽车和照明设备中。
设计与封装
IRF640PBF 采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热特性，便于散热片的安装，帮助元件在高功率应用中保持较低的工作温度。该封装设计允许通过通孔安装，适用于各种PCB设计，增加了设计灵活性。
结论
IRF640PBF 是一款功能强大且可靠的 N 沟道 MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用前景，能够满足许多工程和工业需求。凭借高电流承载、较低的导通电阻以及广泛的工作温度范围，这款 MOSFET 在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。无论是在研发新产品还是进行系统升级，IRF640PBF 都是一个值得考虑的优质选择。