注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF640NSTRLPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
2.343g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
2111(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.36按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.36
--
50+
￥2.58
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF640NSTRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 67nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF640NSTRLPBF手册
无数据
IRF640NSTRLPBF概述
IRF640NSTRLPBF 产品概述
1. 概述
IRF640NSTRLPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有强大的漏源电压（Vdss）和连续电流能力。其设计旨在满足苛刻的电源管理、开关应用以及驱动负载的需求。作为 Infineon（英飞凌）公司的产品，该 MOSFET 体现了出色的电气特性和可靠性，广泛应用于工业、汽车及消费电子等领域。
2. 主要规格
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 200V
- 最大连续漏极电流 (Id): 18A（在 25°C 时 Tc）
- 导通电阻（Rds On）: 在 10V 驱动电压下，11A 时最大导通电阻为 150 毫欧
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V（在 250µA漏电流时）
- 栅极电荷 (Qg): 最大 67nC（在 10V 驱动电压下）
- 输入电容 (Ciss): 最大 1160pF（在 25V 时）
- 功率耗散: 最大 150W（在 25°C 时 Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装: D2PAK（TO-263AB）
3. 结构与设计
IRF640NSTRLPBF 采用 D2PAK（2 引线 + 接片）封装，设计上方便于快速安装并保持良好的散热性能。封装大小恰到好处，适合在有限的空间中使用，同时能够支持高功率的应用环境。MOSFET 的设计有效降低了导通损耗，保障了更高的使用效率，确保系统的热管理在安全范围内。
4. 应用场景
IRF640NSTRLPBF 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电力转换: 用于 DC-DC 转换器、逆变器等电源管理设备，提供高效的电力转换。
- 电机驱动: 在电机控制和驱动应用中表现出色，以高效率和较低的热文温度影响电机运行。
- 开关电源供应: 由于其高电压和高电流的能力，适合于开关电源（SMPS）的应用，确保稳定性与可靠性。
- 工业自动化: 用于各种自动化设备中，增强其控制与驱动功能。
5. 优势特点
- 高电压和电流能力: 200V 的漏源电压和 18A 的连续电流支持各种高功率应用。
- 低导通电阻: 150 毫欧的低导通电阻特点，帮助减少功耗，提高能效。
- 广泛的工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围，使其适应极端环境下的操作需求。
- 良好的热管理能力: 150W 的功率耗散能力，保证器件在高负载下的可靠性。
6. 结论
IRF640NSTRLPBF 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET，适合各种高性能应用，结合了高电压、连续电流及低导通电阻等优异特性。其可靠的工作温度范围和功率耗散能力，使其成为工业及汽车领域中不可或缺的组件。选择 IRF640NSTRLPBF，您将获得出色的电气性能与产品可靠性，为您的设计提供强有力的支持。