注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF640NPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.64g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
44117(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.56按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.56
--
50+
￥1.2
--
1000+
￥1
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF640NPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| FET 类型 | N 通道 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 67nC @ 10V |
| 安装类型 | 通孔 | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160pF @ 25V | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF640NPBF手册
无数据
IRF640NPBF概述
产品概述：IRF640NPBF N通道MOSFET
一、产品背景
IRF640NPBF是由英飞凌（Infineon）制造的一款高性能功率MOSFET，其设计特点是专为高电压和大电流应用而优化，广泛用于电源转换、逆变器和电动汽车等高效能电子设备。这款N通道MOSFET具有卓越的导通性能和低电阻，使其在各种电源管理和开关应用中提供高效能。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: 200V
- IRF640NPBF能够承受的最大漏源电压高达200伏，适用于高压电源电路。
连续漏极电流（Id）: 18A @ 25°C
- 在标准工作环境下，产品能够提供18安培的电流，满足大多数典型应用的需求。
导通电阻（Rds(on)）: 最大值150毫欧 @ 10V, 11A
- 低导通电阻意味着电流通过时的能量损耗较小，有助于提升系统整体效率与散热表现。
栅极电荷（Qg）: 最大值67nC @ 10V
- 适中的栅极电荷使MOSFET具有良好的驱动响应能力，适用于高速开关应用。
功率耗散（Pd）: 150W（Tc）
- 具备高功率耗散能力，适合于高功率设备的应用。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
- 设计的宽广工作温度范围使得IRF640NPBF能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业和汽车应用。
安装类型: 通孔 (Through-hole)
- TO-220AB封装所采用的通孔安装方式方便在各种电路板上进行安装和焊接。
输入电容（Ciss）: 最大值1160pF @ 25V
- 适当的输入电容值有助于控制开关速度，提高开关效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 最大值4V @ 250µA
- 显示出MOSFET启动时所需的最低栅极-source电压，为电路设计提供便利。
三、产品应用
IRF640NPBF适合于多种应用场合，包括但不限于：
- 电源管理: 可用于SMPS（开关电源）和DC-DC转换器，提供高效能和高功率密度的电源解决方案。
- 电动汽车: 在电动汽车动力系统中，可用作驱动电机的开关元件。
- 逆变器: 在光伏逆变器、UPS（不间断电源）中为电流转换提供可靠的开关能力。
- 电机驱动: 用于工业电机控制和驱动电路，以确保高效且可靠的电机操作。
- 自动化设备: 在工业自动化应用中，作为控制和驱动信号调节元件。
四、设计考虑
在设计电路时，应重视以下几点：
- 散热管理: 尽管IRF640NPBF具有较高的功率耗散能力，但在高电流应用中仍需相应的散热设计，以避免过热对器件性能造成影响。
- 驱动电压: 应确保栅极驱动电压在10V以上，以实现最低的导通电阻，提升工作效率。
- 封装选择: TO-220AB的封装设计不仅支持通孔安装，还易于在PCB板上进行散热设计，考虑与其他部件的布局问题。
五、结论
IRF640NPBF N通道MOSFET，凭借其出色的电气特性和可靠性，成为高效能电源及电动汽车等应用的理想选择。设计师在考虑实施该MOSFET时，应充分利用其优越性能，实现高效、可靠的电源管理及控制系统。