IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 575pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 82W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF630NSTRLPBF手册
IRF630NSTRLPBF概述
产品概述：IRF630NSTRLPBF
产品名称：IRF630NSTRLPBF
类型：N-channel MOSFET
制造商：英飞凌（Infineon）
封装：D2PAK
一、产品背景
在现代电子产品和电力电子应用中，场效应管（MOSFET）因其高效率、高速开关能力和可控性，成为各种电力控制及转换电路中的关键组成部分。IRF630NSTRLPBF 是一款高性能、N型沟道MOSFET，适用于多种电气和电子设计领域，包括电源管理、逆变器、驱动电路等。英飞凌作为全球领先的半导体制造商，其产品在性能和可靠性上均有着广泛的认可。
二、技术规格
IRF630NSTRLPBF 具备以下技术参数，确保其在各种应用场合中可靠运行：
漏源电压（Vdss）：200V
该电压参数使得MOSFET在高压应用中表现出色，适合需要高电压处理的电路。连续漏极电流（Id）：9.3A（25°C时)
该参数的设计使得IRF630NSTRLPBF适用于能够承受较高电流的应用，如电源转换器、马达驱动等。导通电阻（Rds(on)）：最大值300毫欧 @ 5.4A，10V
显示出在负载下的低导通损耗，有助于提高系统效率，降低发热量。门源电压（Vgs，最大值）：±20V
该门极阈值电压使其具有良好的驱动灵活性。栅极电荷（Qg，最大值）：35nC @ 10V
表示在开关过程中所需的栅极驱动电量，对于高频应用尤其重要。工作温度范围：-55°C ~ 175°C
使其在极端环境下稳定运行，适合高温、严酷环境的应用。功率耗散（P_D）：最大值82W（Tc）
确保在较大功率应用中能有效散热和运行。输入电容（Ciss，最大值）：575pF @ 25V
该参数影响到开关速度，适合高频操作应用。封装类型：D2PAK
表面贴装的D2PAK封装形式方便于自动化生产，且有助于良好的散热。
三、应用领域
IRF630NSTRLPBF 由于其卓越的参数，广泛应用于多种领域，包括但不限于：
电源管理
在开关电源、DC-DC转换器等线路中，提供高效的开关及控制能力，以实现高能效输出。驱动电路
用于马达驱动、电机控制系统，帮助实现平稳且高效的电机运行。逆变器
在光伏逆变器、风能逆变器等可再生能源系统中，IRF630NSTRLPBF 能胜任高频切换和高压电流的需求。LED驱动
在LED驱动电路中，优秀的导通电阻能够帮助提高LED的驱动效率，提升整体系统性能。汽车电子
由于其宽广的工作温度范围，能够适应多种汽车电子应用，如动力控制、车载电源管理等。
四、总结
总的来说，IRF630NSTRLPBF 是一款高性能的N-channel MOSFET，具有200V的高漏源电压和9.3A的连续漏极电流能力，优越的导通电阻以及宽广的操作温度范围，使其成为电力电子设计领域中不可或缺的组件。无论是在高效电源管理还是在负载驱动应用中，IRF630NSTRLPBF都能展现出其优异的性能和可靠性，为工程师提供有效的解决方案。