IRF5803TRPBF
IRF5803TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.4A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 112mΩ @ 3.4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112 毫欧 @ 3.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1110pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
IRF5803TRPBF手册
IRF5803TRPBF概述
IRF5803TRPBF 产品概述
概述
IRF5803TRPBF 是一种高性能的 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有优越的电气特性和稳定的热性能。它特别适合用于低压电源管理和信号开关应用，广泛应用于消费电子、家电以及工业设备等领域。在高效功率转换和电源系统的设计中，IRF5803TRPBF 也常作为关键元器件，保障电路的稳定运行。
主要参数与特性
漏源电压（Vdss）：IRF5803TRPBF 的最大漏源电压为 40V，适用于各种中低压电源应用。
连续漏极电流（Id）：在环境温度为 25°C 时，该 MOSFET 的连续漏极电流可达 3.4A，足以满足一般电源和开关应用中的电流需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：阈值电压为 3V @ 250µA，确保在应用中以较低驱动电压下即可实现有效导通，增加了设计的灵活性。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压和 3.4A 的漏极电流情况下，导通电阻为 112mΩ，保证了极低的功耗和热量产生，提升了系统的整体效率。
驱动电压：IRF5803TRPBF 在 4.5V 至 10V 的驱动电压下均能表现出色，适合于多种不同的电源设计条件。
输入电容（Ciss）：在 25V 的条件下，其输入电容值为 1110pF，具有良好的开关速度，适合于高频率操作。
栅极电荷（Qg）：在 10V 的栅源电压下，栅极电荷最大值为 37nC，有助于降低驱动电路的功耗，从而提高整合效率。
工作温度范围：IRF5803TRPBF 具有宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，确保在恶劣环境下的可靠性。
功率耗散：该 MOSFET 的最大功率耗散为 2W，适应于多样化的功率管理需求。
封装类型：它采用 SOT-23-6 和 TSOP-6 封装，方便表面贴装，适合于空间紧凑的电子应用。
应用场景
IRF5803TRPBF 主要用于以下应用领域：
- 电源开关：广泛用于 DC-DC 转换器、开关电源等电源管理电路中，能够有效地控制能量的流动。
- 电机驱动：适用于各种电机驱动控制，包括步进电机和直流电机，使其在低电压条件下高效运行。
- 信号开关：在音频和视频设备中，IRF5803TRPBF 可用作信号切换器，确保信号质量及完整性。
- 智能家居设备：不仅可用于照明控制，还可以在家庭自动化中作为开关组件，提高功能和性能。
结论
IRF5803TRPBF 是一款极具性价比的 P 沟道 MOSFET，其稳定的性能与广泛的应用可能性使其在电源管理与信号控制方面备受青睐。随着现代电子设备对效率和可靠性的不断追求，IRF5803TRPBF 在未来的电子设计中，将继续发挥其重要的角色。无论是在工业还是消费市场，其卓越的电气性能都将助力设计工程师实现更灵活、更高效的电路解决方案。