IRF520PBF
IRF520PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9.2A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 270mΩ @ 5.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 60W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 5.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF520PBF手册
IRF520PBF概述
IRF520PBF 产品概述
一、产品背景与应用
IRF520PBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、自动控制电路等领域。作为半导体器件的一种，MOSFET 具备高输入阻抗、低导通损耗和快速开关特性，使其在现代电子电路中占据重要地位。IRF520PBF 作为 VISHAY（威世）公司的产品，其优良的性能和可靠性受到了广泛的认可。
二、基本电气特性
漏源电压（Vdss）：最大承受电压为 100V，使其适合在多种中低电压应用中使用。
最大连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时，额定电流为 9.2A（当 Tc 为 25°C 时）。这表明该 MOSFET 能够在一定负载下稳定工作，并提供所需的电流输出。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：阈值电压为 4V @ 250µA，使其能够在较低电压下开启，对于驱动电路设计非常友好。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动下，漏源导通电阻为 270mΩ @ 5.5A。低导通电阻保证了在导通状态下的功耗极低，提升了整体能效。
最大功率耗散：功率耗散的最大值为 60W（在 Tc = 25°C 时），提供了出色的热管理性能，适合高功率应用场景。
工作温度范围：可在-55°C 到 175°C 环境下稳定工作，制作精良，具有良好的耐高低温特性，保证在严酷环境下的可靠性。
三、封装与安装
IRF520PBF 采用 TO-220AB 封装，这种封装形式支持通孔式安装，便于散热设计。TO-220 封装能够有效地 dissipate 产生的热量，从而确保器件在高负载下的安全运行。
四、电气特性分析
栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为 16nC @ 10V，为驱动电路提供了较小的驱动功耗。
输入电容（Ciss）：最大输入电容为 360pF @ 25V，小输入电容使得 MOSFET 在高频信号下仍能维持较快的开关速度，有利于高频开关电源的应用。
最大 Vgs：该器件的最大栅源电压为 ±20V，给设计者提供了一定的安全裕度，避免了输入信号过冲的风险。
五、总结
综上所述，IRF520PBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，兼具高电压和高电流承受能力，适用于多种电子电路设计和应用场景。其低导通电阻、出色的功率耗散能力以及宽广的工作温度范围，使得该器件在实际应用中表现得非常可靠、高效。
IRF520PBF 以其优越的电气性能、适宜的封装选择以及服务于各种应用场合的灵活性，成为电子设备设计中不可或缺的关键元器件之一。无论是在工业自动化、电源管理，还是在消费类电子产品中，它均能提供稳定可靠的解决方案，为用户的设计带来极大的便利和价值。