IRF2804PBF 产品实物图片
IRF2804PBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF2804PBF

商品编码: BM0000286899
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220
包装 : 
管装
重量 : 
2.75g
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.41
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.41
--
100+
¥5.93
--
1000+
¥5.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF2804PBF参数

漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)(25°C 时)75A
栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻2.3mΩ @ 75A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)300W类型N沟道

IRF2804PBF手册

IRF2804PBF概述

IRF2804PBF 产品概述

一、产品背景与应用领域

IRF2804PBF 是一款由 VISHAY(威世)公司生产的高性能 N 通道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、工控设备、电动汽车、高效开关电源和电机驱动等领域。凭借其出色的电气性能和可靠性,IRF2804PBF 是设计师在高电流和高电压应用中理想的选择。

二、主要技术参数

  1. 漏源电压(Vdss): 最高可达 40V。这一参数使得 IRF2804PBF 适合用于许多中等电压的电源转换和控制应用。

  2. 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,连续漏极电流可达到 75A,充分满足大电流需求的应用场景,如电机驱动和功率放大器。

  3. 栅源极阈值电压: 该器件的栅源极阈值电压为 4V(在 250μA 下测量),表示其在较低电压下即可有效导通,便于与较为简单的驱动电路配合使用。

  4. 漏源导通电阻: 在 75A、10V 的条件下,漏源导通电阻为 2.3mΩ,表明在导通状态下产生的电阻损失极低,有助于提高系统效率并减少发热。

  5. 最大功率耗散(Ta=25°C): 在环境温度为 25°C 时,IRF2804PBF 的最大功率耗散可以达到 300W,这使得它在高负载的应用中保持稳定性,同时能够承受一定的热应力。

  6. 封装形式: 采用 TO-220 封装,便于电路板安装,并具有良好的散热性能。

三、性能优势

IRF2804PBF 的设计特点使其在多种应用中具备显著的优势:

  • 高效率: 由于较低的导通电阻,IRF2804PBF 在高电流工作下的损耗显著降低,有效提高了系统的整体效率。

  • 强大的热管理能力: 其 TO-220 的封装设计使得器件可以通过散热片等方式高效散热,保证在恶劣工作条件下的可靠性。

  • 宽广的应用适应性: IRF2804PBF 在开关电源(SMPS)、电动机控制、DC-DC 转换器等多个领域均展现出良好的性能,兼容性强。

  • 高开关频率: 这种 MOSFET 的快速开关特性使其在高频应用中表现卓越,能够满足现代电源模块对开关速度的要求。

四、建议使用电路与设计注意事项

  1. 驱动电路设计: 由于其栅源极阈值电压较低,IRF2804PBF 可以直接与 CMOS 或 TTL 驱动电路相连。但在设计时应确保驱动信号具有足够的上升时间,以避免开关过程中造成的额外损耗。

  2. 热管理: 由于大功率操作会导致热量积聚,因此设计时应考虑合理的散热方案,确保 MOSFET 的工作温度始终在安全范围内。

  3. 保护电路: 针对反向电压和过流情况,可以设计适当的保护电路以延长 MOSFET 的使用寿命。

五、总结

IRF2804PBF 是一款高性能的 N 通道功率 MOSFET,具有优异的电气性能和良好的热管理能力,广泛适用于电源管理和驱动控制等各种应用场景。凭借其制造质量和可靠性,IRF2804PBF 不仅降低了设计复杂性,还有效提升了系统的性能与安全性。设计工程师在选用该元件时,能够期待其在各种严苛应用中的出色表现。