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IRF1405PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 330W 55V 169A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
232(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
3.11按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.11
--
100+
￥2.49
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF1405PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 169A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.3 毫欧 @ 101A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 260nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5480pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF1405PBF手册
无数据
IRF1405PBF概述
IRF1405PBF 产品概述
产品名称: IRF1405PBF
类型: N 通道 MOSFET
制造商: Infineon（英飞凌）
封装: TO-220AB
一、基本特性
IRF1405PBF是一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），特别设计用于要求高功率和高电压的应用场合。该元器件具有优越的电气特性，特别是在开关速度和导通电阻方面，有助于提升电源转换效率和热管理性能。
- 漏源电压 (Vdss): 55V
- 连续漏极电流 (Id): 169A（在结温Tc条件下）
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 5.3 mΩ （在10V和101A条件下）
二、电气参数
IRF1405PBF在各类电气参数中表现出色，适用于各类高功率电路设计。
- 驱动电压: 为远程控制和高电流应用提供的10V驱动电压，使得MOSFET可以迅速进入导通状态，降低开关损耗。
- 导通电阻: 该元器件在高电流下的低导通电阻意味着在长时间的电流负载下，发热量将保持在较低水平，从而提升电路的稳定性。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值4V（在250µA）进一步保证了元件在低电压驱动下的可靠操作。
三、驱动特性
IRF1405PBF的栅极电荷 (Qg) 最大为260nC（在10V条件下），这标志着该元器件在切换时能提供优秀的驱动效率，适合快速开关电路应用。这种低栅极电荷值有助于降低驱动电路的功耗，适合各种变换器和逆变器设计。
四、输入和输出电容
其最大输入电容 (Ciss) 为5480pF（在25V），表明其对高速信号变化的响应能力，尤其适合于其中大电流和高开关频率的应用。这样的特性能够支持在高频应用中的稳定性和效率，尤其在高频开关电源中尤为关键。
五、功率耗散及工作温度
IRF1405PBF的最大功率耗散为330W（在结温Tc条件下），使其可以在严格的环境条件下运行，而不会影响性能。此外，该产品的工作温度范围广（-55°C ~ 175°C），保证了其在严酷的工业、军事及航空航天环境中的可靠性。
六、应用场景
IRF1405PBF广泛适用于以下领域：
- DC-DC 变换器: 由于其高效率和低发热性能，在高功率DC-DC变换器中是理想的选择。
- 电动机驱动器: 适用于电机控制和驱动中，能够承受高电流并减少热损失。
- 电源管理系统: 在高功率电源管理和分配系统中，IRF1405PBF提供了出色的导通性能，确保系统的高效性。
- 电池管理系统: 作为电池开关和均衡装置的重要组成部分，确保在充放电过程中有良好的电气性能。
七、总结
总的来说，IRF1405PBF是一款具有高性能特点、广泛应用潜力的N通道MOSFET。通过其强大的电气特性及可靠的工作参数，使其成为各种高效能电源和快速开关设计中不可或缺的部分，适合于现代电子设备所需的高效、稳定及耐用的解决方案。无论是在提升能效还是降低发热方面，IRF1405PBF都能提供卓越的性能，满足用户在高负荷、高功率应用中的需求。