IR21844STRPBF
IR21844STRPBF参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，2.7V |
| 驱动配置 | 半桥 | 输入类型 | 非反相 |
| 通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.9A，2.3A | 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | 上升/下降时间（典型值） | 40ns，20ns |
| 电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600V |
IR21844STRPBF手册
IR21844STRPBF概述
IR21844STRPBF 产品概述
概述
IR21844STRPBF是一款高性能的半桥栅极驱动器IC，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计。这款驱动器结合了高压驱动能力、快速转换时间和出色的工作温度范围，适用于各种工业、汽车和消费电子应用。
主要技术特点
安装类型: IR21844STRPBF使用表面贴装型(SSOP/SOIC封装)，适应现代电路板设计的高密度布局要求。
逻辑电压: 该器件具有宽范围的逻辑输入电压，VIL（输入低电平最大值）为0.8V，VIH（输入高电平最小值）为2.7V，确保与大多数数字控制电路兼容。
驱动配置: 驱动器采用半桥配置，能够有效驱动两个功率开关，有助于实现高效的电源管理和电机控制应用。
电流输出: 最大输出电流分别为1.9A（灌入）和2.3A（拉出），这意味着IR21844STRPBF可以在负载变化时快速响应，保持稳健的驱动性能。
栅极类型: 该产品支持的栅极类型包括IGBT和N沟道MOSFET，适用范围广泛，可以在不同类型的关键应用中使用。
工作温度: IR21844STRPBF设计可在-40°C至150°C的极端温度下稳定工作，使其非常适合汽车和工业环境下的使用。
动态性能: 上升时间和下降时间分别为40ns和20ns，保证了快速的开关性能，减少开关损耗，这对于高效能的电力转换和电机驱动至关重要。
供电电压: IC的供电电压范围是10V至20V，适应性强，能够满足多种设计需求。
高压侧电压: IR21844STRPBF能够支持高达600V的自举电压，对高压应用提供强有力的驱动支持，特别是在需要提升设备电压以驱动高侧MOSFET的场合。
应用场景
由于其优越的性能参数，IR21844STRPBF被广泛用于多个领域，包括：
- 电动汽车与混合动力汽车: 在电机驱动及能量回收系统中，提供优良的驱动能力与系统效率。
- 工业控制: 在伺服电机、步进电机及其他高功率设备中，其稳定性与效率使得系统更可靠。
- 家电控制: 很多现代家电如空调、洗衣机和冰箱都可以受益于这种高效的驱动设计。
- 可再生能源系统: 在太阳能逆变器和风能转换器中，该驱动器也能发挥重要作用。
总结
IR21844STRPBF半桥栅极驱动器因其强大的功能和灵活的应用场合，成为各类电气和电子系统设计中的关键组件。通过高压、高效率及快速响应的特性，它能显著提高系统的整体性能与可靠性，满足市场对高效电力电子解决方案日益增长的需求。