驱动配置 | 高压侧或低压侧 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 250mA,500mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 80ns,40ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 供应商器件封装 | 16-SOIC |
产品概述:IR2112STRPBF
一、产品简介
IR2112STRPBF 是一种由英飞凌(Infineon)公司推出的双通道高低压 MOSFET 栅极驱动器,广泛应用于电源管理和电动机驱动等领域。该器件具有出色的驱动能力和可靠性,适用于高压半桥电路,能够有效控制 N 沟道 MOSFET 或 IGBT。
二、产品特性
驱动配置:IR2112STRPBF 具有高压侧和低压侧驱动配置,能够适应多种电路设计需求,特别是在应用高压供电的场合,能够确保设备的效率与安全因素。
通道类型和驱动器数:该产品是一个独立式驱动器,内含两个驱动通道,可以同时驱动两个半桥配置的 MOSFET。这种设计使得在涉及双管控制的应用中,电路设计变得更加紧凑和高效。
电源电压范围:IR2112 的工作供电电压范围为 10V 至 20V,用户可以根据具体应用选择合适的供电电压,从而确保器件的性能达到最佳状态。
逻辑电压等级:该器件在逻辑输入信号方面具有较高的兼容性,其逻辑输入电压 VIL 和 VIH 分别为 6V 和 9.5V,能够与大多数微控制器和数字电路兼容,减少了设计的复杂性。
输出电流能力:IR2112STRPBF 提供了 250mA 的灌入电流和 500mA 的拉出电流,这保证了在各种负载情况下都能实现快速的栅极切换,降低开关损耗,提升工作效率。
上升/下降时间:该器件的典型上升时间为 80ns,下降时间为 40ns,显示出其优越的切换特性,适用于高频率的开关应用,提高了系统的响应速度。
最大自举电压:具备 600V 的最大自举电压能力,使其能够在高压应用中有效工作,适合要求较高的电流切换和高电压操作的场合,确保器件长期稳定运行。
工作温度范围:IR2112STRPBF 的工作温度范围为 -40°C 到 150°C,适应极端环境条件,符合多个工业应用场景的需求。
封装形式:该器件采用 16-SOIC 表面贴装型封装,尺寸为 0.295"(即 7.50mm 宽),方便集成在各种电路板的设计中,节省空间,提高工艺灵活性。
三、应用场景
IR2112STRPBF 在多个应用领域中显示出它的多样性和高效性,常见的应用包括但不限于:
四、总结
IR2112STRPBF 作为一种高性能的双通道 MOSFET 栅极驱动器,以其优越的电气性能和广泛的应用兼容性,成为电源管理和驱动系统设计中的理想选择。无论在高压运作还是快速开关应用中,该器件均能够处理复杂的电流和电压要求,帮助设计师实现更高效、更安全的电源解决方案。推动市场对于智能化和高效能电力解决方案的需求,IR2112STRPBF 是现代电子设计不可或缺的助力器件。