功率(Pd) | 375W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3mΩ@10V,100A | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
IPP023N10N5 是由英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)生产的一款 N 沟道场效应管(MOSFET),其封装形式为 TO-220-3。这款 MOSFET 在功率电子器件中广泛应用,适合多种应用场合,包括开关电源、直流-直流转化器、电机驱动等,对于提供高效的电能控制和管理具有重要意义。
IPP023N10N5 MOSFET 的重要参数包括:
这一系列参数使得 IPP023N10N5 在高效率、高功率的应用中表现出色,能够处理较大电流和电压,同时保持热管理的优势。
TO-220 封装设计为高功率应用而专门优化,能够有效散热。其金属底盘提供更好的散热能力,使得 MOSFET 在长时间工作下的温度管理更加可靠,从而提高了其整体性能和寿命。此外,TO-220 封装与无铅焊点设计符合环保要求,使其在满足欧盟 RoHS legislations 的同时也符合现代电子产品中对绿色材料的需求。
IPP023N10N5 的广泛应用场合主要集中在以下几个领域:
IPP023N10N5 的设计充分考虑了现代电子产品对高效、可靠和环保的需求,其具有的低 R_DS(on) 和高电流承载能力使其在多种工作条件下表现出色。MOSFET 的快速响应特性也极大地提高了系统的动态性能,适合对开关频率有较高要求的应用。同时,较低的开关损耗和热损耗使其成为节能设备的重要组成部分。
总的来说,IPP023N10N5 MOSFET 是一种高效、高可靠性的功率电子元件,被广泛应用于各种快变和负载能力要求高的电子电路中。其良好的电气性能和散热能力,使其成为优秀的开关元件,广泛适用于开关电源、驱动电机和其它高效能的电力管理系统中。随着科技的进步和对节能需求的增加,该产品在未来的电子产业中将继续发挥重要作用。
在选择 MOSFET 时,用户应考虑到具体应用的电压、电流要求,以及工作环境的温度变化,以确保选择最适合的器件以实现最佳性能。