额定功率 | 3W | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 200V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 200V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 370mV @ 300mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,5V | 功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | 110MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT956TA是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),在电子设备中广泛应用于开关和放大电路。该晶体管具有出色的电气特性,适用于对电流和电压要求较高的场景,如功率放大器、开关电源及其他需要快速开关的应用。它的额定功率为3W,能够承受的集电极电流为2A,以及最大集射极击穿电压为200V,使其在许多高压、高负载的应用场景中具备良好的适用性。
FZT956TA采用SOT-223封装,具有表面贴装型安装方式。该封装形式不仅节省空间,有利于小型化设计,还能有效提升散热性能,降低在高功率操作下的温度问题。
FZT956TA的设计允许其在多种应用中表现出色,特别是在:
总的来说,FZT956TA是一款具备高性能特征的PNP型晶体管,以优异的电流、电压及频率特性,适合用于各种高性能应用。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,FZT956TA均展现出良好的工作特性和可靠性,是设计工程师们在选择优质元器件时的理想选择。凭借其出色的热稳定性和广泛的适用性,FZT956TA将为稳健与高效的电路设计提供强大的支持。