FZT853TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT853TA

商品编码: BM0000286857
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.188g
描述 : 
三极管(BJT) 3W 100V 6A NPN SOT-223-4
库存 :
34026(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.59
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.59
--
50+
¥1.99
--
1000+
¥1.66
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT853TA参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic6A
集射极击穿电压Vce100V额定功率3W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)6A电压 - 集射极击穿(最大值)100V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)340mV @ 500mA,5A电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 2A,2V功率 - 最大值3W
频率 - 跃迁130MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

FZT853TA手册

FZT853TA概述

FZT853TA 产品概述

一、产品简介

FZT853TA 是一款高性能 NPN 型晶体管,广泛应用于各种电子电路中,特别是在功率放大和开关电路中。该器件由美台(DIODES)公司制造,具备卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,使其成为多种应用方案的理想选择。

二、基本参数

FZT853TA 的电气特性如下:

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):最大可达 6A,适用于需要较大功率的场合。
  • 集射极击穿电压 (Vce):100V 使其能够处理高电压应用。
  • 额定功率:3W,保证在大负载下稳定运行。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在高达 5A 电流下,饱和压降最大为 340mV,这意味着在开关状态下的损耗较小,有助于提高效率。
  • 截止电流 (ICBO):最大 10nA,表明该器件在断开状态下的漏电流非常低,确保了电路的可靠性。
  • DC 电流增益 (hFE):在 2A 和 2V 条件下,最小值为 100,表明其具有良好的放大能力。
  • 频率 - 跃迁:可高达 130MHz,能够支持高速开关操作,适用于快速脉冲信号传输的应用。
  • 工作温度:范围为 -55°C 到 150°C,适合于各种极端环境下的使用。

三、封装与安装

FZT853TA 采用 SOT-223 封装,这是一种表面贴装器件(SMD),适合于现代电子产品的小型化设计。其紧凑的尺寸和卓越的散热特性,使其在密集布线和高功率密度的 PCB 上表现出色。

四、应用场景

FZT853TA 在多个领域都表现出极高的适应性,包括但不限于以下几种应用:

  1. 开关电源:该晶体管能够在高频率下稳定工作,非常适合用于开关电源的设计,确保高效的能量转换和稳定的输出电压。

  2. 音频放大器:凭借其出色的增益特性和低噪声性能,FZT853TA 可广泛应用于音频放大器中,以提供优质音频信号放大。

  3. 驱动电路:可以用于驱动继电器、电机和其它负载,6A 的集电极电流能力可轻松驾驭各种电器设备。

  4. 电池管理系统:在电池充放电过程中,可以负责电流的开关控制,从而有效管理电池的使用效率与安全。

  5. 信号放大:在通信设备中,通过实现对微弱信号的放大,提高信号传输的质量与稳定性。

五、性能优势

FZT853TA 的设计目标是提升性能和可靠性。以下是其主要优势:

  • 高效能:低饱和压降和低截止电流确保其在高效能工况下稳定运行。
  • 广泛适用性:其电气规格使得 FZT853TA 能够在多样化的应用中胜任不同角色。
  • 极端环境适应性:宽广的工作温度范围使其能够在严苛环境中从容应对,确保长期稳定的使用。
  • 小型化设计:SOT-223 封装有助于简化 PCB 布局,提高设计密度并降低产品尺寸。

六、总结

FZT853TA 作为一款高性能的 NPN 型晶体管,凭借其优越的电气性能、广泛的应用领域和良好的环境适应性,已成为众多电子设计工程师的首选组件之一。无论是在开关电源、音频放大器还是驱动电路中,FZT853TA 的出色表现都将为您的项目提供信赖的支持。选择 FZT853TA,助力您的电子设计实现更高的性能和可靠性。