FZT849TA
FZT849TA参数
| 额定功率 | 3W | 集电极电流Ic | 7A |
| 集射极击穿电压Vce | 30V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 7A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 350mV @ 300mA，6.5A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1A，1V | 功率 - 最大值 | 3W |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT849TA手册
FZT849TA概述
FZT849TA 产品概述
FZT849TA 是一款高性能 NPN 晶体管（BJT），专为高功率和高电流应用而设计。它的额定功率为 3W，集电极电流最大可达 7A，且具有良好的电压和电流特性，适用于各种电子和电气设备中。这款晶体管在设计上注重了效率、散热和性能，以应对严苛的工作环境和负载条件。
主要参数
- 额定功率：3W
- 集电极电流（Ic）：最大 7A
- 集射极击穿电压（Vce)：最大 30V
- 饱和压降（Vce(sat)）：在 300mA 和 6.5A 时，最大值为 350mV
- 截止电流（ICBO）：最大 50nA
- 直流电流增益（hFE）：最小 100 @ 1A，1V
- 频率 - 跃迁: 100MHz
- 工作温度: -55°C 至 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA，SOT-223
应用场景
FZT849TA 晶体管广泛应用于以下领域：
功率放大器：利用其高集电极电流和较低的饱和压降，FZT849TA 适合用于音频放大器和射频放大器电路中，能够提供稳定的增益和获益。
开关电源：其高频特性（100MHz）使其适合用于开关电源的开关管，帮助提高电源转换效率。
马达驱动电路：该晶体管的高集电极电流和较高的耐压特性使其成为驱动小型电动机和步进电机的理想选择。
信号放大：FZT849TA 适合用作信号放大器，特别是在需要高增益的应用中，例如接收电路或传感器。
灯光控制：可以用于LED驱动电路，控制照明设备的开关以及调光功能。
性能优势
FZT849TA 具备多项优越性能，使其在竞争中脱颖而出：
高效能：以其最大 3W 的功率处理能力和 30V 的工作电压，在较宽的电压和电流范围内，展示了高效的能量转换能力。
低饱和压降：350mV 的饱和压降确保了高效能和较低的热损耗，延长了设备的使用寿命。
宽温度范围：-55°C 至 150°C 的工作温度范围，允许其在各种极端环境下稳定工作，适合航空航天、汽车和工业应用等严苛条件。
小封装设计：采用 SOT-223 封装，FZT849TA 的体积小巧，便于在空间受限的电路板上进行紧凑布局，提升了设计灵活性。
总结
总而言之，FZT849TA 是一款功能强大、性能优越的 NPN 晶体管，适用于多种高功率及高电流需求的应用场景。无论是在开关电源、功率放大器、马达驱动还是信号放大中，FZT849TA 均能够提供可靠的性能和稳定的输出，满足现代电子设备对效率和稳定性的高要求。其宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，使其在多种工业及消费类电子产品中，都是一款理想的选择。