额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 400V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 200mA,10V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 50MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT758TA是一款高性能的PNP型双极晶体管 (BJT),采用SOT-223封装,专为需要高电压和高电流操作的应用而设计。其额定功率为2W,最高集电极电流(Ic)可达500mA,适合广泛的功率放大和开关电路应用。其集射极击穿电压(Vce)高达400V,使其成为高压电子设备和电源管理系统的理想选择。
FZT758TA的设计旨在提供优良的可靠性和稳定性。它的高击穿电压使其能够在高压应用中安全工作。例如,在电源转换器和逆变器中,FZT758TA可以有效地处理大电流和高电压的状态,确保系统的稳定性与安全性。同时,该器件的低饱和压降和高增益特性使其在对效率要求极高的场合中表现尤为出色,比如电机驱动和信号放大应用。
FZT758TA的应用范围广泛,特别适合以下领域:
FZT758TA是一款性能优越、功能多样的PNP三极管,凭借其高额定功率、高集电极电流和宽广的工作温度范围,它在电子设计中具有极高的灵活性与适用性。作为DIODES(美台)品牌推出的精密元件,FZT758TA不仅完善了电源管理和信号放大设计的需求,更在多领域应用中彰显了其卓越的品质。无论是在消费电子、汽车、工业还是通信设备中,FZT758TA都能够为设计师提供可靠的解决方案,助力更高效、更稳定的电路设计。
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