额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 120V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 120V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 2.5V @ 2mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 3000 @ 1A,5V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 160MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT705TA是一款高性能的PNP型达林顿晶体管,主要用于功率放大和开关应用,其额定功率为2W,集电极电流(Ic)最大可达2A,具备120V的集射极击穿电压(Vce)。该器件在频率跃迁方面表现良好,工作频率可达到160MHz,适合用于各种高频应用场景。此外,其极高的DC电流增益(hFE)值,最低可达3000(@1A,5V),使得其在电流放大方面具有优异的性能。
FZT705TA采用SOT-223封装(也称为TO-261),其紧凑的小型设计非常适合表面贴装技术(SMT)应用。这种封装的优点在于良好的热性能和电气性能,并且在现代电子设备中被广泛运用。FZT705TA适合于空间受限的应用场合,并能够与现代的自动化贴片机兼容。
FZT705TA的饱和压降特性也非常值得关注。在不同的偏置电流(Ib)和集电极电流(Ic)值下,其Vce饱和压降最大仅为2.5V(在2mA和2A条件下)。这不仅提高了整体效率,减少了功率损耗,还使得这一器件在高效电源设计中具有更大的灵活性。
工作温度范围也非常广泛,FZT705TA的结温能够承受-55°C至150°C的极端环境,满足现代电子产品在多变环境中的应用需求。这一特性使得FZT705TA能在严苛条件下持续工作,提升了其长期可靠性。
FZT705TA由于其优异的电气特性和广泛的工作温度范围,适用于多种电子应用,包括但不限于:
与其他同类产品相比,FZT705TA在电流增益和饱和压降方面具有显著优势,这使得它在多个方面更具竞争力。此外,可靠的工作温度和良好的封装设计也使其适用于高要求的应用,减少了设计人员在元器件选择上的顾虑。
FZT705TA是一款极具优势的PNP达林顿晶体管,凭借其高功率、高电流增益以及广泛的工作温度范围,适用于多种现代电子应用。它的卓越性能和可靠性使其成为各种电子设计中的重要选择,无论是在工业应用还是消费电子领域,FZT705TA都能表现出色,为设计者提供稳定和高效的解决方案。