FZT458TA
FZT458TA参数
| 额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 300mA |
| 集射极击穿电压Vce | 400V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 300mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 6mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 50mA，10V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 50MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT458TA手册
FZT458TA概述
FZT458TA 产品概述
概述
FZT458TA是一款由DIODES（美台）公司生产的高性能NPN晶体管，具有广泛的应用场景，尤其适合于高压和中等功率的电子电路中。该晶体管在封装上采用SOT-223类型，符合表面贴装技术（SMT）标准，使其能够轻松嵌入各种电子设备，适应高密度的线路板布局。
关键参数
- 额定功率: 2W
- 集电极电流 (Ic): 最大300mA
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大400V
- 集电极截止电流最大值: 100nA
- 不同Ib、Ic时Vce饱和压降: 最大为500mV @ 6mA，50mA
- DC电流增益 (hFE): 最小值100 @ 50mA，10V
- 频率跃迁: 50MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
应用场景
FZT458TA的高集电极电流和高击穿电压特性使其特别适合应用于以下领域：
开关电路: 该晶体管能够在高压高电流的开关电路中高效工作，可用于电源管理和电能转换。
放大电路: 由于其良好的电流增益特性，FZT458TA适合用于小信号放大和类比信号处理电路。
驱动应用: 能够驱动继电器、LED等负载，适合应用于汽车电子、家电及工业自动化设备中。
高频应用: 其50MHz的频率跃迁特性使得该晶体管在RF（射频）、音频频率放大器等高频应用场合表现优异。
性能特点
FZT458TA不仅具备高效率和高稳定性，同时还具备以下几个重要特点：
低饱和压降: 最大饱和压降仅为500mV，意味着在开关状态下，损耗较低，提高了整体能效。
高耐压特性: 凭借400V的集射极击穿电压，FZT458TA在高电压电路中提供了良好的保护，能够防止电路在工作或故障条件下的损坏。
宽工作温度范围: 工作温度范围从-55°C到150°C，适合各种工业和军事应用，尤其在极端环境条件下仍能稳定工作。
紧凑封装: SOT-223封装为现代电子设计节省了空间，适合高密度线路板布置。
总结
FZT458TA是一款具有高功率、高效率和广泛应用潜力的NPN晶体管，得益于其卓越的电气特性和可靠的性能，尤其适合于在高压和中等电流应用的设计中。凭借其出色的电流增益、低饱和压降和宽广的工作温度范围，FZT458TA能够为各种电路设计解决方案提供必要的支持，成为许多工程师的首选组件。该晶体管的应用相关测试和改进可以在不同的电气环境下展开，确保电路设计的高效和稳定。