FDMC6675BZ
FDMC6675BZ参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A（Ta），20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.4 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 65nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2865pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），36W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
FDMC6675BZ手册
FDMC6675BZ概述
FDMC6675BZ 产品概述
FDMC6675BZ 是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的高性能 P 通道 MOSFET，采用创新的制造技术与优化的设计，旨在为多种应用过程中的高效能电源管理提供支持。该器件在电力电子系统中起着关键的作用，尤其适合用于电源开关、DC-DC 转换器及其它高频开关电路中。
主要特点与规格
FET 类型与技术：FDMC6675BZ 是 P 通道的金属氧化物场效应管（MOSFET），因其优秀的导通性能与低导通电阻而为电力管理应用广泛使用。
漏源电压（Vdss）：此器件的最大漏极-源极电压为30V，适合于低压电源管理应用。在多种电路环境下，其高电压耐受性确保了稳定性和安全性。
电流能力：在25°C环境下，该器件的连续漏极电流（Id）可达9.5A，且在温控条件（Tc）下最大可达20A，这使其能够处理较大的负荷，满足不同功率需求的应用。
导通电阻（Rds On）：在Vgs为10V时，FDMC6675BZ展示出最高14.4毫欧的导通电阻（@9.5A），在大电流应用中表现出良好的热性能和能效。
栅极电压参数（Vgs）：该器件的驱动电压无论在最大（±25V）还是最小（4.5V和10V）都具备灵活性，可满足不同电压条件的工作需求。
工作温度范围：FDMC6675BZ 可以在-55°C至150°C的工作温度范围内运行，极大的提高了其在恶劣环境条件下的适用性。
封装与安装：该MOSFET以8-MLP（3.3x3.3mm）形式封装，适合表面贴装（SMD）技术，能够有效节省空间并支持高密度电路设计。
电气特性：包括最大栅极电荷为65nC（@10V），输入电容（Ciss）最大为2865pF（@15V），这些参数共同支持其在高频应用中维持优异的开关速度及效率。
功率耗散：FDMC6675BZ 具有最大功率耗散能力2.3W（在25°C环境）和36W（在温控条件）能力，可处理持续的热负荷，这意味着在高功率应用中可以有效地管理发热。
应用领域
FDMC6675BZ 适用于广泛的应用领域，包括但不限于：
- DC-DC 变换器：在电源转换和管理中担任开关元件，有助于提高能效。
- 电池管理系统：为可再生能源系统或电动汽车提供电源切换解决方案。
- 开关电源：用于高效的电源供应和分配，提高设备整体性能。
- 工业设备：适用于各种工业自动化控制系统，增强系统的可靠性与稳定性。
总结
FDMC6675BZ 是一款具有优越电气性能、宽工作温度范围及高可靠性的 P 通道 MOSFET。无论是在消费电子、工业应用还是电动车辆技术中，它的低导通电阻、高电流能力和广泛的电压适应性，都使其成为电力电子设计中的理想选择，能够帮助工程师在他们的设计中优化效率与性能。通过充分利用 FDMC6675BZ 的特点和优势，设计者能够开发出更高效、更可靠的电子产品。