FCX1151ATA
FCX1151ATA参数
| 晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 3A |
| 集射极击穿电压Vce | 40V | 额定功率 | 2W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250mA，3A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，2V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 145MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
FCX1151ATA手册
FCX1151ATA概述
FCX1151ATA 产品概述
FCX1151ATA 是一款高性能 PNP 型双极型晶体管，主要为电子设备中的开关和放大应用而设计。该器件的主要参数包括集电极电流（Ic）最大值为 3A，集射极击穿电压（Vce）最大值为 40V，额定功率为 2W，具有良好的热稳定性和快速的响应特性，适合广泛的电子应用。
产品特点：
结构与封装： FCX1151ATA 采用 TOK-243AA/SOT-89-3 封装类型，这种表面贴装型设计使其在PCB上占用较小的空间，便于自动化焊接和组装。适合现代电子产品对体积和重量日益严格的要求。
电气特性： FCX1151ATA 具有最高可承受的集电极电流 3A，能够满足许多高电流应用的需求。其集射极击穿电压高达 40V，确保在高压环境下的稳定工作和安全性。在不同的工作条件下，Vce 饱和压降最大值为 300mV @ 250mA，3A，表明其在高电流情况下的电能损耗非常低，从而提升整个电路的效率。
频率与增益： 该晶体管的频率跃迁特性为 145MHz，适用于需要高频响应的设计如 RF 放大器或振荡器。同时，设备在 500mA 时的 DC 电流增益（hFE）最低为 250，这为设计者提供了充足的增益，能够有效地放大弱信号。
低截止电流： FCX1151ATA 的集电极截止电流为 100nA，使得在关闭状态下几乎不消耗电流。这一特性特别适合需要长时间保持状态的低功耗应用，诸如遥控设备和电池供电系统。
工作温度范围： 此器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，允许其在严酷环境下仍能稳定运作。这一特性使得 FCX1151ATA 在军事、航天及工业等特殊应用中表现出色。
品牌与质量保证： 由美台 DIODES 品牌提供，FCX1151ATA 具有可靠的质量保障。DIODES 在半导体行业享有盛誉，其产品经过严格测试，确保在实际应用中能够达到或超过设计参数。
应用领域：
FCX1151ATA 的特性使其广泛应用于多种场合，包括但不限于：
- 开关电源与电机控制。
- 音频放大器与信号处理器。
- 通信设备与射频电路。
- 汽车电子与工业自动化设备。
总结：
法库 FCX1151ATA 是一款高效、高性能的 PNP 型晶体管，集电极电流 3A、集射极击穿电压 40V 和 2W 的额定功率，使其在不少高功率和高频率应用中表现出色。其优越的频率跨度和低截止电流，为用户提供了极大的设计灵活性和可靠性。对于寻求高效能与稳定性电子元器件的设计师而言，FCX1151ATA 是一个理想的选择。